申请/专利权人：桑迪士克科技有限责任公司

申请日：2019-12-18

公开（公告）日：2024-04-12

公开（公告）号：CN113196400B

主分类号：G11C16/04

分类号：G11C16/04;G11C16/08;G11C16/12;H10B43/35

优先权：["20190626 US 16/453,268"]

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.12#授权;2021.08.17#实质审查的生效;2021.07.30#公开

摘要：本发明提供了一种源极侧编程方法和系统。存储器阵列的多个块中的坏触发块可通过确定块的漏极侧选择栅极的阈值电压分布以及确定该分布是否异常来检测。如果分布异常，则该块是坏触发块，这可能导致另一个块中的故障。如果块是坏触发块，则通过经由源极侧线将非零电压施加到坏触发块的至少一个源极侧字线来对坏触发块的至少一个字线执行源极侧编程。

主权项：1.一种编程方法，所述编程方法包括：确定存储器单元阵列的多个块中的块包括故障；在确定所述块包括故障时，将所述块标记为坏块；检测所述坏块的漏极侧选择栅极上的阈值电压分布；确定所述阈值电压分布是否异常；以及如果所述阈值电压分布异常，则经由所述存储器单元阵列的源极侧将电压施加到所述坏块的至少一个字线。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 桑迪士克科技有限责任公司 用于3D NAND的源极侧编程、方法和装置

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