申请/专利权人:应用材料公司
申请日:2021-10-18
公开(公告)日:2024-04-02
公开(公告)号:CN117813672A
主分类号:H01J37/34
分类号:H01J37/34;C23C14/35
优先权:["20210818 EP PCT/EP2021/072947"]
专利状态码:在审-实质审查的生效
法律状态:2024.04.19#实质审查的生效;2024.04.02#公开
摘要:一种沉积材料的方法,所述方法包括:从第一旋转靶并用孔径板进行溅射,所述第一旋转靶具有第一磁体组件,所述第一磁体组件具有第一等离子体约束;以及同时地从第二旋转靶并用所述孔径板进行溅射,所述第二旋转靶具有第二磁体组件,所述第二磁体组件具有第二等离子体约束。所述第一等离子体约束面向所述第二旋转靶并且所述第二等离子体约束面向所述第一旋转靶。提供在所述第一旋转靶与所述第二旋转靶之间的等离子体区的所述第一等离子体约束和所述第二等离子体约束具有垂直于基板的基板表面的中心线,所述孔径板具有带有屏蔽部分的主体,所述屏蔽部分被配置为至少在所述中心线处屏蔽在所述等离子体区与所述基板之间的区。
主权项:1.一种在基板上沉积材料的方法,所述方法包括:第一沉积:包括:从第一旋转靶并用孔径板进行溅射,所述第一旋转靶具有第一磁体组件,所述第一磁体组件具有第一等离子体约束;和同时地从第二旋转靶并用所述孔径板进行溅射,所述第二旋转靶具有第二磁体组件,所述第二磁体组件具有第二等离子体约束,所述第一等离子体约束面向所述第二旋转靶并且所述第二等离子体约束面向所述第一旋转靶,提供在所述第一旋转靶与所述第二旋转靶之间的等离子体区的所述第一等离子体约束和所述第二等离子体约束具有垂直于所述基板的基板表面的中心线,所述孔径板具有带有屏蔽部分的主体,所述屏蔽部分被配置为至少在所述中心线处屏蔽在所述等离子体区与所述基板之间的区。
全文数据:
权利要求:
百度查询: 应用材料公司 在基板上沉积材料的方法和被配置用于用对向溅射靶在基板上沉积材料的系统
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