申请/专利权人：上海积塔半导体有限公司

申请日：2024-01-03

公开（公告）日：2024-04-02

公开（公告）号：CN117810133A

主分类号：H01L21/67

分类号：H01L21/67;H01L21/3105;H01L21/02

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.19#实质审查的生效;2024.04.02#公开

摘要：本发明涉及一种光固化工艺的监测方法及光固化装置。所述光固化工艺的监测方法包括如下步骤：提供基底；形成前驱层和介电材料层于所述基底上，所述前驱层在固化光源照射下能够产生监测物；采用所述固化光源照射所述前驱层和所述介电材料层，并监测所述监测物的浓度是否达到第一预设值，若是，则停止采用所述固化光源照射所述介电材料层，形成介电层。本发明确保了所述介电层的介电常数的稳定性，降低了光固化工艺的成本，并提高了光固化工艺的开发效率。

主权项：1.一种光固化工艺的监测方法，其特征在于，包括如下步骤：提供基底；形成前驱层和介电材料层于所述基底上，所述前驱层在固化光源照射下能够产生监测物；采用所述固化光源照射所述前驱层和所述介电材料层，并监测所述监测物的浓度是否达到第一预设值，若是，则停止采用所述固化光源照射所述介电材料层，形成介电层。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 上海积塔半导体有限公司 光固化工艺的监测方法及光固化装置

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