申请/专利权人：华中科技大学鄂州工业技术研究院;华中科技大学

申请日：2023-12-28

公开（公告）日：2024-04-02

公开（公告）号：CN117810305A

主分类号：H01L31/18

分类号：H01L31/18;H01L31/0232;H01L33/00;H01L33/60;H01S5/183

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.19#实质审查的生效;2024.04.02#公开

摘要：本申请涉及半导体材料技术领域，尤其涉及一种AlGaN基纳米多孔分布式布拉格反射器的制备方法；所述制备方法包括：在AlN缓冲层表面上交替沉积硅掺杂AlGaN层和未掺杂AlGaN层，得到复合AlGaN层；在复合AlGaN层至少部分表面固定连接电极金属，得到处理电极；采用酸性电解液电化学刻蚀处理电极，得到多孔AlGaN样品；采用酸溶液对多孔AlGaN样品进行浸泡处理，后干燥处理后的多孔AlGaN样品，得到AlGaN基纳米多孔分布式布拉格反射器；电化学刻蚀的蚀刻偏压＞30V；该方法克服了分布式布拉格反射器中AlGaN层存在的低折射率差、大晶格失配和高应变积累的缺陷。

主权项：1.一种AlGaN基纳米多孔分布式布拉格反射器的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：在AlN缓冲层表面上交替沉积硅掺杂AlGaN层和未掺杂AlGaN层，得到复合AlGaN层；在所述复合AlGaN层至少部分表面固定连接电极金属，得到处理电极；采用酸性电解液对所述处理电极进行电化学刻蚀至电流为零，得到多孔AlGaN样品；采用酸溶液对所述多孔AlGaN样品进行浸泡处理，以去除电极金属，后对处理后的多孔AlGaN样品进行干燥，得到AlGaN基纳米多孔分布式布拉格反射器；其中，所述电化学刻蚀的蚀刻偏压＞30V。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 华中科技大学鄂州工业技术研究院;华中科技大学 一种AlGaN基纳米多孔分布式布拉格反射器的制备方法

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。

阅读全文 双屏查看 官方信息 专利公告 收藏专利 下载PDF 下载WORD