申请/专利权人：成都蜀郡微电子有限公司

申请日：2023-12-21

公开（公告）日：2024-04-02

公开（公告）号：CN117810199A

主分类号：H01L23/525

分类号：H01L23/525

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.19#实质审查的生效;2024.04.02#公开

摘要：双向导通栅氧化层反熔丝单元和器件，涉及集成电路技术。本发明的双向导通栅氧化层反熔丝单元包括衬底和设置于衬底上方的栅氧化层和栅极板，所述衬底的材质为半导体，在衬底和栅氧化层之间设置有掺杂类型异于衬底的异型掺杂区，所述异型掺杂区连接有电极。本发明不仅具有传统栅氧化层反熔丝的优点以及双向导通性，所需要的阱植入工艺也能与标准CMOS工艺兼容，具有良好的技术进步性和经济性。

主权项：1.双向导通栅氧化层反熔丝单元，包括衬底和设置于衬底上方的栅氧化层和栅极板，所述衬底的材质为半导体，其特征在于，在衬底和栅氧化层之间设置有掺杂类型异于衬底的异型掺杂区，由异型掺杂区隔离衬底和栅氧化层，所述异型掺杂区连接有电极。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 成都蜀郡微电子有限公司 双向导通栅氧化层反熔丝单元和器件

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