申请/专利权人:滁州亿晶光电科技有限公司
申请日:2023-12-21
公开(公告)日:2024-04-02
公开(公告)号:CN117810297A
主分类号:H01L31/18
分类号:H01L31/18;C23C16/515;C23C16/30
优先权:
专利状态码:在审-实质审查的生效
法律状态:2024.04.19#实质审查的生效;2024.04.02#公开
摘要:本发明公开一种Topcon背膜氨气预处理方法,采用新的背膜氨气预处理工艺,能够产生更好的钝化效果,再经过烧结时,激活氮化硅膜层中的H原子,能够达到有效地提升Voc与FF的目的。
主权项:1.一种Topcon背膜氨气预处理方法,其特征在于,包括:S1、进行前处理工艺,包括制绒、扩散和蚀刻抛光;S2、将前处理后的硅片背面朝上送入预热腔进行预热;S3、对进行预热处理后的硅片,进行正常氨气预处理,在第一氮化硅膜层沉积前通入氨气进行电离;S4、进行后处理工艺,包括激光开槽、正面镀膜和电极制作。
全文数据:
权利要求:
百度查询: 滁州亿晶光电科技有限公司 一种Topcon背膜氨气预处理方法
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