申请/专利权人:深圳古瑞瓦特新能源有限公司
申请日:2024-02-05
公开(公告)日:2024-04-02
公开(公告)号:CN117810925A
主分类号:H02H7/20
分类号:H02H7/20;H02H11/00;H02S40/30;H02S40/32;H03K17/08;H02H7/122
优先权:
专利状态码:在审-实质审查的生效
法律状态:2024.04.19#实质审查的生效;2024.04.02#公开
摘要:本发明属于电子电路技术领域,提供了一种光伏逆变器PV输入防反接电路,上述光伏逆变器PV输入防反接电路,反接时PV‑电压高于PV+,防反接电路自动开始取电工作:从极低的输入电压约2V升压到Vout输出电压,在将输出电压送到SiCMOS管的栅极,此时Vgs驱动电压=Vout‑Vce1,根据SiCMOS管的特性只要设置合适的驱动电压,将SiCMOS管反向导通,从而降低SiCMOS管损耗,避免PV输入反接时主功率管即SiCMOS管过热损坏,增加了电路的可靠性。
主权项:1.一种光伏逆变器PV输入防反接电路,其特征在于,包括第一二极管、第一电容、第一电感、第一开关、第二二级管以及第二电容;所述第一二极管的负极接光伏正输入端,所述第一电容的正极接光伏负输入端,SiCMOS管位于光伏正输入端和光伏负输入端之间,所述第一二极管的正极分别与所述第一电容的负极、所述第一开关的电流流出端、所述第二电容的负极以及接地极连接;所述第一电容的正极与所述第一电感的第一端和所述SiCMOS管的源极、光伏负输入端连接;所述第一电感的第二端与所述第一开关的电流流入端和所述第二二极管的正极连接;所述第一开关的驱动端与升压脉冲宽度调制器连接;所述第二二级管的负极与所述第二电容的正极和所述SiCMOS管的栅极连接。
全文数据:
权利要求:
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