申请/专利权人：泰州中来光电科技有限公司

申请日：2021-04-30

公开（公告）日：2024-04-02

公开（公告）号：CN115274871B

主分类号：H01L31/0216

分类号：H01L31/0216;H01L31/02;H01L31/068;H01L31/18

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.02#授权;2022.11.18#实质审查的生效;2022.11.01#公开

摘要：本发明涉及一种应用于隧穿型太阳能电池的接触结构，隧穿型太阳能电池包括：硅衬底、电介质层及电极，电介质层的一面与硅衬底相接触；所述电介质层的另一面上设置所述接触结构，所述接触结构包括：多晶硅层和掺杂层；所述掺杂层与多晶硅层相互交替设置在所述电介质层上；所述掺杂层的厚度大于所述多晶硅层的厚度；所述掺杂层一端与所述电介质层相接触，另一端与所述电极相接触；其中，所述掺杂层与所述电介质层相接处的一端的掺杂浓度小于所述掺杂层与所述电极相接触的另一端的掺杂浓度。

主权项：1.一种应用于隧穿型太阳能电池上的接触结构的制造方法，所述太阳能电池包括：硅衬底、电介质层及电极，所述电介质层的一面与所述硅衬底相接触；其特征在于，所述电介质层的另一面上设置所述接触结构，所述接触结构包括：多晶硅层和掺杂层；所述掺杂层与多晶硅层相互交替设置在所述电介质层上；所述掺杂层的厚度大于所述多晶硅层的厚度；所述掺杂层一端与所述电介质层相接触，另一端与所述电极相接触；其中，所述掺杂层与所述电介质层相接处的一端的掺杂浓度小于所述掺杂层与所述电极相接触的另一端的掺杂浓度；所述掺杂层在所述电介质层上的投影总面积占所述电介质层的底表面积的2.5％～97％；所述方法包括以下步骤：第一步：对硅片的表面进行处理，形成硅衬底；第二步：在所述硅衬底的表面制作电介质层；第三步：在所述电介质层上制作非晶硅层；第四步：在所述非晶硅层的局部区域涂覆含有掺杂物的硅浆料；所述含有掺杂物硅浆料在所述非晶硅层上涂覆的总面积占所述非晶硅层的底表面积的2.5％～97％；第五步：将所述硅片进行高温退火，形成完整的接触结构。

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权利要求：

百度查询： 泰州中来光电科技有限公司 一种应用于隧穿型太阳能电池上的接触结构、带有该接触结构的太阳能电池及其制造方法

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