申请/专利权人：天合光能股份有限公司

申请日：2023-12-14

公开（公告）日：2024-04-23

公开（公告）号：CN117497626B

主分类号：H01L31/068

分类号：H01L31/068;H01L31/0216;H01L31/0224;H01L31/0352;H01L31/18

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.23#授权;2024.02.23#实质审查的生效;2024.02.02#公开

摘要：本申请提供了一种太阳能电池和太阳能电池的制造方法，该太阳能电池包括：硅衬底；隧穿层和多晶硅层，依次形成在硅衬底的背面；介电层，形成在多晶硅层的背面；第一电极和第二电极，第一电极和第二电极均贯穿介电层，并与多晶硅层接触；第一掺杂区和第二掺杂区，第一掺杂区起始于第一电极并延伸至硅衬底的内部，第二掺杂区起始于第二电极并延伸至硅衬底的内部；隔离槽，位于第一掺杂区和第二掺杂区之间，隔离槽至少深入至多晶硅层中预设深度。本申请的太阳能电池和太阳能电池的制造方法具有效率高和成本低的优势。

主权项：1.一种太阳能电池，其特征在于，包括：硅衬底；隧穿层和多晶硅层，依次形成在所述硅衬底的背面；介电层，形成在所述多晶硅层的背面；第一电极和第二电极，所述第一电极和所述第二电极贯穿所述介电层，并与所述多晶硅层接触；第一掺杂区和第二掺杂区，所述第一掺杂区起始于所述第一电极并延伸至所述硅衬底的内部，所述第二掺杂区起始于所述第二电极并延伸至所述硅衬底的内部，位于所述硅衬底中的第一掺杂区的宽度等于或大于位于所述多晶硅层中的第一掺杂区的宽度，位于所述多晶硅层中的第一掺杂区的宽度等于或大于所述第一电极与所述多晶硅层接触部分的宽度，位于所述硅衬底中的第二掺杂区的宽度等于或大于位于所述多晶硅层中的第二掺杂区的宽度，位于所述多晶硅层中的第二掺杂区的宽度等于或大于所述第二电极与所述多晶硅层接触部分的宽度，在所述隧穿层的背面形成所述多晶硅层，对所述第一电极和所述第二电极进行热处理以在同一所述多晶硅层中形成所述第一掺杂区和所述第二掺杂区，且所述第一掺杂区与所述第二掺杂区之间间隔的多晶硅为本征多晶硅；以及隔离槽，位于所述第一掺杂区和所述第二掺杂区之间，所述隔离槽至少深入至所述多晶硅层中预设深度。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 天合光能股份有限公司 太阳能电池和太阳能电池的制造方法

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