申请/专利权人：TDK株式会社

申请日：2017-10-24

公开（公告）日：2024-04-02

公开（公告）号：CN113346009B

主分类号：H10N50/10

分类号：H10N50/10;H10N50/01;G11B5/39

优先权：["20161027 JP 2016-210530","20170714 JP 2017-138384"]

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.02#授权;2021.09.21#实质审查的生效;2021.09.03#公开

摘要：本发明的目的在于提供一种自旋轨道转矩型磁阻效应元件的制造方法。该自旋轨道转矩型磁阻效应元件具备：磁阻效应元件，其具有磁化方向被固定的第一铁磁性金属层、磁化方向变化的第二铁磁性金属层、以及被第一铁磁性金属层及第二铁磁性金属层夹持的非磁性层；自旋轨道转矩配线，其沿相对于所述磁阻效应元件的层叠方向交叉的第一方向延伸，与所述第二铁磁性金属层接合，该自旋轨道转矩型磁阻效应元件的形状为长方形状，该制造方法具有：形成具有所述第一铁磁性金属层、所述非磁性层及所述第二铁磁性金属层的层叠体的工序；将所述层叠体沿一个方向进行加工的工序；和将沿所述一个方向加工后的所述层叠体沿与所述一个方向交叉的另一个方向加工的工序。

主权项：1.一种自旋轨道转矩型磁阻效应元件的制造方法，其中，所述自旋轨道转矩型磁阻效应元件具备：磁阻效应元件，其具有磁化方向被固定的第一铁磁性金属层、磁化方向变化的第二铁磁性金属层、和被第一铁磁性金属层及第二铁磁性金属层夹持的非磁性层；以及自旋轨道转矩配线，其沿相对于所述磁阻效应元件的层叠方向交叉的第一方向延伸，并与所述第二铁磁性金属层接合，所述磁阻效应元件的从层叠方向观察的平面形状具有内切的椭圆区域E，且在该椭圆区域E的所述第一方向的外侧具有外部区域A，所述自旋轨道转矩型磁阻效应元件的制造方法具有：形成具有所述第一铁磁性金属层、所述非磁性层及所述第二铁磁性金属层的层叠体的工序；在所述层叠体的一面形成掩模的工序，其中，所述掩模具有：从所述层叠体的层叠方向观察能够内切椭圆的长方形区域，和位于所述长方形区域的角部或长边部且从所述长方形区域突出的突出区域；以及经由所述掩模加工所述层叠体的工序。

全文数据：

权利要求：

百度查询： TDK株式会社 自旋轨道转矩型磁阻效应元件及其制造方法

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