申请/专利权人：中北大学

申请日：2022-08-05

公开（公告）日：2024-04-02

公开（公告）号：CN115159862B

主分类号：C03C17/36

分类号：C03C17/36;H10N70/20;H10N70/00

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.02#授权;2022.10.28#实质审查的生效;2022.10.11#公开

摘要：本发明涉及属于阻变存储器领域，具体涉及一种利用氧空位调控金红石型二氧化钛基阻变存储器性能的方法；本发明利用水热原位生长的方法，得到了纯晶金红石相TiO2薄膜，并利用紫外光辐照改变了其氧空位浓度，极大地改善了金红石型二氧化钛基阻变存储器的性能。本发明的制备方法简单易操作，制备得到的金红石相TiO2薄膜形貌均匀、连续致密；通过紫外光辐照后，金红石型二氧化钛基阻变存储器的性能改善显著。本发明的方法对改善阻变存储器性能具有非常重要的意义。

主权项：1.一种利用氧空位调控金红石型二氧化钛基阻变存储器性能的方法，其特征在于，包括以下步骤：（1）金红石相TiO2薄膜的制备：采用水热原位生长的方法，将去离子水和浓盐酸混合，放置于磁力搅拌器上搅拌，搅拌的过程中，加入钛酸异丙酯，继续搅拌；将最终混合均匀的透明溶液用胶头滴管转移至50mL容量的高压反应釜中；用去离子水、丙酮、异丙醇各超声清洗刻蚀好的1.5×1.5cm的掺氟的氧化锡导电玻璃15min，并烘干；接着，将处理好的FTO导电玻璃垂直放置于反应釜底部，将高压釜密封，放置于160℃的烘箱内反应3小时得到TiO2薄膜；等到高压釜自然冷却至室温后，用去离子水以及无水乙醇交替浸泡清洗TiO2薄膜数次，去除表面未反应的溶液；放入烘箱中干燥，紧接着在450℃的管式炉中退火1h，TiO2薄膜制备完成；（2）UVO3处理及器件制备：用紫外光处理制备好的TiO2薄膜，使氧空位浓度减少；通过真空蒸镀的方法在TiO2薄膜顶部镀上一层金属银电极，其厚度为1µm，直径为100µm；紫外光波长为短波253.7nm及184.9nm，紫外光照射TiO2薄膜高度3~5cm，紫外光处理TiO2薄膜时间25min。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 中北大学 一种利用氧空位调控金红石型二氧化钛基阻变存储器性能的方法

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