申请/专利权人：赛维精密科技(广东)有限公司

申请日：2023-09-20

公开（公告）日：2024-04-02

公开（公告）号：CN117202485B

主分类号：H05K1/02

分类号：H05K1/02;H05K3/00;H05K3/04;H05K3/28

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.02#授权;2023.12.26#实质审查的生效;2023.12.08#公开

摘要：本发明涉及FPCB线路板技术领域，具体涉及一种FPCB线路板、组合模切生产工艺及生产设备，本发明通过在制备工艺中引入含记忆纤维的离型膜，配合每个工序的加热，利用记忆纤维的收缩抵消因膜卷在工艺过程中受到的牵拉张力而产生的形变，每个模切及贴合步骤均可以匹配相应的温度以控制离型膜的收缩量，可以有效提高模切以及贴合的精度。

主权项：1.一种FPCB线路板的组合模切生产工艺，其特征在于：所述FPCB线路板包括依次设置的载体膜、基底膜、铜箔层以及绝缘膜；所述载体膜设有第一定位孔；所述基底膜设有第二定位孔；所述绝缘膜设有第三定位孔；所述第一定位孔、第二定位孔以及第三定位孔对应设置；所述第一定位孔的半径、第二定位孔的半径以及第三定位孔的半径相同；还包括生产设备；所述生产设备包括：第一滚切机构，用于将贴合第一离型膜的载体膜进行模切；第一分离辊，用于将第一离型膜分离；第一贴合机构，用于将第二离型膜、基底膜、载体膜以及第三离型膜贴合；第二滚切机构，用于对基底膜进行模切；第二分离辊，用于将第二离型膜与第三离型膜分离；第二贴合机构，用于将线路卷、基底膜、载体膜以及第四离型膜贴合；第一分离机构，用于将线路卷中的收缩离型膜与第四离型膜分离；第三贴合机构，将第五离型膜、绝缘膜、铜箔层、基底膜、载体膜与第六离型膜贴合；第三滚切机构，对绝缘膜模切；第三分离辊，将第五离型膜与第六离型膜分离；第四贴合机构，将第七离型膜、绝缘膜、铜箔层、基底膜、载体膜与第八离型膜贴合；第四滚切机构，对载体膜、基底膜与绝缘膜的轮廓模切；第二分离机构，将第七离型膜、绝缘膜、基底膜与载体膜的废料分离；第五滚切机构，将铜箔卷模切；以及第四分离辊，用于将铜箔卷进行分离；第一滚切机构、第二滚切机构、第三滚切机构、第四滚切机构与第五滚切机构均包括上转动辊与下转动辊；上转动辊设有辊刀；下转动辊内设有多个第一发热体；下转动辊的顶部设有第一导热板；第一贴合机构、第三贴合机构与第四贴合机构均包括上贴合辊以及下贴合辊；第二贴合机构包括第一贴合辊、第二贴合辊与设于第二贴合辊底部的第三贴合辊；第三贴合辊内设有多个第二发热体；第三贴合辊的顶部设有第二导热板；所述第一分离机构包括第五分离辊、冷却辊以及第六分离辊；所述冷却辊内设有冷却装置；所述第二分离机构包括第七分离辊、第八分离辊、第九分离辊以及第十分离辊；还包括以下步骤：S1、在载体膜底部贴合第一离型膜，在加热状态下对载体膜进行模切后将第一离型膜分离；S2、在载体膜顶部贴合基底膜，在基底膜顶部贴合第二离型膜，在载体膜底部贴合第三离型膜，在加热状态下对基底膜进行模切后将第二离型膜以及第三离型膜分离；S3、提供一线路卷；提供一铜箔卷以及一收缩离型膜，将铜箔卷贴合至收缩离型膜的顶部，对铜箔卷进行模切后将铜箔卷分离，从而在收缩离型膜的顶部留下成型的铜箔层；所述铜箔层与收缩离型膜形成所述线路卷；收缩离型膜内部均匀分散有多个冷却收缩颗粒，冷却收缩颗粒在经过低温的冷却辊时可被低温冷却收缩，使得收缩离型膜表面出现微观凹陷，并与铜箔层之间形成部分分离，以降低收缩离型膜与铜箔层之间的粘接面积；S4、在载体膜底部贴合第四离型膜；在加热状态下将线路卷贴合至基底膜顶部；S5、冷却的状态下对将第四离型膜与线路卷中的收缩离型膜分离，在基底膜顶部留下铜箔层；S6、在铜箔层与基底膜顶部贴合绝缘膜，在绝缘膜顶部贴合第五离型膜，在载体膜底部贴合第六离型膜，在加热状态下对绝缘膜进行模切后将第五离型膜以及第六离型膜分离；S7、在绝缘膜顶部贴合第七离型膜，在载体膜底部贴合第八离型膜，在加热状态下对载体膜、基底膜以及绝缘膜的轮廓进行模切；从而在第八离型膜形成FPCB线路板；S8、将第七离型膜、绝缘膜、基底膜以及载体膜的废料分离；所述第一离型膜、第二离型膜、第三离型膜、第四离型膜、第五离型膜、第六离型膜、第七离型膜以及第八离型膜均包括基膜层与粘接层；所述基膜层内沿长度方向设有多条加热收缩的记忆纤维。

全文数据：

权利要求：

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