申请/专利权人：江苏芯德半导体科技有限公司

申请日：2023-08-23

公开（公告）日：2024-04-02

公开（公告）号：CN220710313U

主分类号：H01L23/498

分类号：H01L23/498;H01L23/31;H01L25/065

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.02#授权

摘要：本实用新型公开了一种多芯粒高密度封装结构，包括：基板、第一金属凸块、转接板组、第二金属凸块、存储芯片、第一芯粒和第二芯粒，基板的一侧设有若干第一金属凸块，基板的另一侧通过若干第二金属凸块与转接板组连接，转接板组的顶部连接存储芯片、第一芯粒和第二芯粒，基板与转接板组之间设有填充层，本实用新型提供了一种高产品可靠性、实现多芯片封装、集成度更高、降低基板的设计复杂度及设计成本的多芯粒高密度封装结构。

主权项：1.多芯粒高密度封装结构，其特征在于，包括：基板、第一金属凸块、转接板组、第二金属凸块、存储芯片、第一芯粒和第二芯粒，所述基板的一侧设有若干第一金属凸块，所述基板的另一侧通过若干第二金属凸块与转接板组连接，所述转接板组的顶部连接存储芯片、第一芯粒和第二芯粒，所述基板与转接板组之间设有填充层。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 江苏芯德半导体科技有限公司 多芯粒高密度封装结构

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