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【发明公布】一种光学相干层析成像系统_中山大学_202410115015.6 

申请/专利权人:中山大学

申请日:2024-01-26

公开(公告)日:2024-04-09

公开(公告)号:CN117838056A

主分类号:A61B5/00

分类号:A61B5/00

优先权:

专利状态码:在审-实质审查的生效

法律状态:2024.04.26#实质审查的生效;2024.04.09#公开

摘要:本发明公开了一种光学相干层析成像系统,包括超辐射发光二极管光源、偏振控制器、第一端面耦合结构、定向耦合器、直波导延时线器件、数字开关型延时线器件、第二端面耦合结构、第三端面耦合结构和成像装置,第一端面耦合结构、定向耦合器、直波导延时线器件、数字开关型延时线器件、第二端面耦合结构和第三端面耦合结构集成在芯片波导中,芯片波导的材料包括铌酸锂薄膜,直波导延时线器件用于对样本光和参考光进行连续延时调节;数字开关型延时线器件用于对连续延时调节后的样本光进行跳变延时调节;本发明实施例能够提高成像速度、将分立元件集成,降低制造难度,提高良品率,可广泛应用于光学成像系统。

主权项:1.一种光学相干层析成像系统,其特征在于,包括超辐射发光二极管光源、偏振控制器、第一端面耦合结构、定向耦合器、直波导延时线器件、数字开关型延时线器件、第二端面耦合结构、第三端面耦合结构和成像装置;所述第一端面耦合结构、所述定向耦合器、所述直波导延时线器件、所述数字开关型延时线器件、所述第二端面耦合结构和所述第三端面耦合结构集成在芯片波导中,所述芯片波导的材料包括铌酸锂薄膜;其中,所述超辐射发光二极管光源,用于发射光谱;所述偏振控制器,用于调节光谱的偏振态;所述第一端面耦合结构,用于将偏振控制器输出的偏振光耦合进入所述定向耦合器;所述定向耦合器,用于将输入光分成预设光功率比例的样本光和参考光;所述直波导延时线器件,用于对所述样本光和所述参考光进行连续延时调节;所述数字开关型延时线器件,用于对连续延时调节后的样本光进行跳变延时调节;所述第二端面耦合结构,用于将跳变延时调节后的样本光耦合至所述成像装置;所述第三端面耦合结构,用于将连续延时调节后的参考光耦合至所述成像装置;所述成像装置,用于根据跳变延时调节后的样本光得到待测样本的样本反射光,并根据所述样本反射光和连续延时调节后的参考光对待测样本进行层析成像。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 中山大学 一种光学相干层析成像系统

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