申请/专利权人：重庆邮电大学;电子科技大学重庆微电子产业技术研究院

申请日：2024-02-22

公开（公告）日：2024-04-09

公开（公告）号：CN117855821A

主分类号：H01Q1/38

分类号：H01Q1/38;H01Q1/48;H01Q1/50;H01Q5/25;H01Q5/335;H01Q5/385;H01Q9/30

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.26#实质审查的生效;2024.04.09#公开

摘要：本发明涉及天线设计技术领域，具体涉及一种基于缺陷地结构的偏置馈电超宽带高增益单极子天线，包括辐射贴片1、介质基板2、金属接地面3、微带馈线4和过渡气泡5；金属接地面3印制在介质基板2下表面，辐射贴片1、微带馈线4和过渡气泡5均印制在介质基板2上表面；辐射贴片1和微带馈线4分别与过渡气泡5连接；本发明提出的半圆形缺陷地结构和通过圆形缺陷地改进的矩形扼流槽结构仅对接地面做出改变，可以在改善天线阻抗特性的同时影响天线的辐射特性，对拓展天线带宽和性能提升有着重要作用。

主权项：1.一种基于缺陷地结构的偏置馈电超宽带高增益单极子天线，其特征在于，包括辐射贴片1、介质基板2、金属接地面3、微带馈线4和过渡气泡5；金属接地面3印制在介质基板2下表面，辐射贴片1、微带馈线4和过渡气泡5均印制在介质基板2上表面；辐射贴片1和微带馈线4分别与过渡气泡5连接。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 重庆邮电大学;电子科技大学重庆微电子产业技术研究院 一种基于缺陷地结构的偏置馈电超宽带高增益单极子天线

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