申请/专利权人：中铁十四局集团第四工程有限公司

申请日：2024-02-19

公开（公告）日：2024-04-09

公开（公告）号：CN117839456A

主分类号：B01D71/02

分类号：B01D71/02;B01D69/10;B01D69/02;B01D67/00;B01D61/18;B01D61/14

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.26#实质审查的生效;2024.04.09#公开

摘要：本发明涉及无机陶瓷膜技术领域，具体涉及一种纯相碳化硅超滤膜及其一步共烧制备方法。一步共烧制备方法包括如下步骤：（1）碳化硅支撑层的制备；（2）碳化硅过渡层的制备（3）碳化硅分离层的制备；（4）一步共烧：烧结步骤（3）干燥好的碳化硅支撑层素坯，烧结温度为1000‑1800℃，烧结时间为1‑5h。本发明通过在支撑层、过渡层和分离层中添加不同含量的聚碳硅烷，降低支撑层的烧结温度，实现碳化硅超滤膜的一步共烧，具有制备周期短，所得碳化硅超滤膜孔径精度高的特点。

主权项：1.一种纯相碳化硅超滤膜的一步共烧制备方法，其特征在于，包括如下步骤：（1）碳化硅支撑层的制备：SiC颗粒、聚碳硅烷、分散剂和粘结剂经球磨混合均匀，将混匀的原料干燥过筛后挤压成型，得到碳化硅支撑层素坯；（2）碳化硅过渡层的制备：将聚碳硅烷溶于溶剂中，加入SiC粉体A，研磨至溶剂完全挥发，使聚碳硅烷包覆在SiC粉体A表面形成包覆层，将包覆后的SiC粉体A与水配成悬浊液，加入粘结剂和分散剂后球磨得到SiC水性浆料A，将SiC水性浆料A喷涂在步骤（1）制备的碳化硅支撑层素坯上，干燥；（3）碳化硅分离层的制备：将聚碳硅烷溶于溶剂中，加入SiC粉体B，研磨至溶剂完全挥发，使聚碳硅烷包覆在SiC粉体B表面形成包覆层，将包覆后的SiC粉体B与水配成悬浊液，加入粘结剂和分散剂后球磨得到SiC水性浆料B，将SiC水性浆料B喷涂在步骤（2）处理后的碳化硅支撑层素坯上，干燥；（4）一步共烧：烧结步骤（3）干燥好的碳化硅支撑层素坯，烧结温度为1000-1800℃，烧结时间为1-5h；其中，SiC颗粒、SiC粉体A、SiC粉体B粒径依次降低；SiC颗粒占支撑层原料的60wt%-80wt%，聚碳硅烷占支撑层原料的10wt%-20wt%；SiC粉体A占过渡层原料的3wt%-12wt%，聚碳硅烷占过渡层原料的1wt%-5wt%；SiC粉体B占分离层原料的2wt%-10wt%，聚碳硅烷占分离层原料的1wt%-5wt%。

全文数据：

权利要求：

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