申请/专利权人：中国石油大学(华东)

申请日：2023-08-01

公开（公告）日：2024-04-09

公开（公告）号：CN117855312A

主分类号：H01L31/101

分类号：H01L31/101;H01L31/032;H01L31/0224;H01L31/18

优先权：

专利状态码：在审-公开

法律状态：2024.04.09#公开

摘要：本发明公开一种用于微弱光信号检测的高灵敏度位置探测器件及其制备方法。该方法包括：选取Si为基底；利用直流掠射角磁控溅射技术沉积SnSe薄膜；在SnSe薄膜表面沉积Pd电极；该技术利用掠射角沉积薄膜时的阴影效应，成功制备出了SnSe纳米棒阵列薄膜，得益于其低的面内电导率，建立出载流子快速扩散的通道反型层，实现了大的横向光伏性能。本发明的位置探测器件，具有超高的位置灵敏度与极低的检测极限功率。其制备工艺简单、无毒无污染，产品质量较高，适于大规模化工业生产，在高性能微弱光信号位置探测领域具有巨大的应用前景。

主权项：1.一种用于微弱光信号检测的高灵敏度位置探测器件及其制备方法，其特征在于，纵向层状叠加结构，由下至上依次包括n型Si单晶基片、SnSe纳米棒阵列薄膜层和Pd上电极层；其中：所述Si单晶基片为镀膜基底；所述SnSe纳米棒阵列薄膜层通过直流掠射角磁控溅射技术沉积于上述基底表面上，其厚度为～75-100nm；所述Pd上电极层通过直流磁控溅射技术沉积于上述SnSe纳米棒阵列薄膜层的表面，其厚度为～0.9-9nm。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 中国石油大学(华东) 一种用于微弱光信号检测的高灵敏度位置探测器件及其制备方法

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。

阅读全文 双屏查看 官方信息 专利公告 收藏专利 下载PDF 下载WORD