申请/专利权人：苏州科技大学

申请日：2023-09-04

公开（公告）日：2024-04-09

公开（公告）号：CN117049520B

主分类号：C01B32/168

分类号：C01B32/168

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.09#授权;2023.12.01#实质审查的生效;2023.11.14#公开

摘要：本发明公开了一种碳纳米管的壁数调控方法、单壁碳纳米管及其制备方法。所述调控方法包括：使壁数为多个的第一碳纳米管与刻蚀剂接触，并施加第一电流产生第一瞬态高温，以使至少最外层管壁在第一瞬态高温的作用下被刻蚀剂刻蚀而去除，获得壁数少于第一碳纳米管的第二碳纳米管。本发明所提供的壁数调控方法以及单壁碳纳米管的制备方法通过使廉价且易得的多壁碳纳米管与刻蚀剂接触，并施加电流，产生瞬态超高温，进而通过刻蚀剂在瞬间高温下的刻蚀作用将多壁碳纳米管的外层管壁刻蚀去除，提高产物中的少壁甚至单壁碳纳米管的比例，最终可实现单壁碳纳米管的低成本、低能耗的绿色批量化制造，并大幅度缩短单壁碳纳米管的制备周期。

主权项：1.一种碳纳米管的壁数调控方法，其特征在于，包括：使壁数≥2的多个第一碳纳米管组成的宏观体与刻蚀剂接触，并对所述第一碳纳米管施加第一电流，所述第一电流用于产生第一瞬态高温，以使所述第一碳纳米管的至少最外层管壁在所述第一瞬态高温的作用下被所述刻蚀剂刻蚀去除，获得壁数少于所述第一碳纳米管的第二碳纳米管所组成的宏观体，且所述第二碳纳米管的壁数能够达到1；其中，所述第一瞬态高温是指1s内温度达到500℃以上，且升降温速率达到103-105℃s，所述第一瞬态高温的峰值温度为500-3500℃，所述第一电流的脉冲频率为0.1Hz-1MHz，占空比为0.1-0.9，持续时间为10-6–600s；所述刻蚀剂选自水、双氧水中的任意一种或两种的组合，且所述刻蚀剂吸附于所述宏观体中，所述宏观体中液态的所述刻蚀剂与所述第一碳纳米管的质量比为1：100-10000；所述宏观体设置于负压环境中，所述负压环境的压力为1-101kPa。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 苏州科技大学 碳纳米管的壁数调控方法、单壁碳纳米管及其制备方法

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