申请/专利权人：首都医科大学;首都医科大学脑重大疾病研究中心(北京脑重大疾病研究院)

申请日：2018-12-14

公开（公告）日：2024-04-09

公开（公告）号：CN109432607B

主分类号：A61N5/06

分类号：A61N5/06;A61N2/02

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.09#授权;2019.04.02#实质审查的生效;2019.03.08#公开

摘要：本发明公开一种可穿戴光电一体化自闭症治疗仪，包括治疗头盔，治疗头盔的头盔本体上设置有与电源电联接的操作面板和纳米多光子照射区，纳米多光子照射区包括前额区光照探头、顶骨区光照探头、太阳穴区光照探头和小脑部位光照探头，操作面板上设置有分别与纳米多光子照射区的各个区电联接的光照射按钮。本发明中的自闭症治疗仪，采用了最新LED纳米光照技术，利用纳米多光子进行脑部照射；LED灯成本低，照射效果好、穿透强度高、相对激光安全可靠；且该治疗仪采用了最新科研成果，利用连续波对人体进行低频刺激，来提高记忆的同时，增强神经干细胞的再生，来恢复神经核团的功能。

主权项：1.一种可穿戴光电一体化自闭症治疗仪，其特征在于：包括治疗头盔，所述治疗头盔的头盔本体上设置有与电源电联接的操作面板和纳米多光子照射区，所述纳米多光子照射区包括前额区光照探头、顶骨区光照探头、太阳穴区光照探头和小脑部位光照探头，所述操作面板上设置有分别与所述纳米多光子照射区的各个区电联接的光照射按钮；所述头盔本体上还设置有人耳甲区磁贴片，所述人耳甲区磁贴片包括与低频刺激器连接的左耳低频刺激磁贴和右耳低频刺激磁贴；所述低频刺激器与所述电源电联接；所述低频刺激器采用低频直流波，该低频直流波为连续波，且该低频直流波的频率为2Hz或40Hz，波宽为0.2ms，电刺激强度为1-4mA。

全文数据：一种可穿戴光电一体化自闭症治疗仪技术领域本发明涉及康复理疗仪器技术领域，特别是涉及一种可穿戴光电一体化自闭症治疗仪。背景技术儿童自闭症又称孤独症Autism,最早由美国的卡勒Kanner.L教授于1943年提出,以后世界各国相继报道。一般于儿童期3岁以前发病,以社交障碍、沟通能力缺陷以及重复刻板动作为主要临床特征。流行病学研究报道自闭症发病率约为61000到101000,且近年发病率有上升趋势。目前国内自闭症发病率尚无大规模流行病学统计资料,但根据目前其他国家的发病率,保守估计中国目前至少有100万患者。目前认为,自闭症是环境因素与遗传易感性共同作用的结果。自闭症患儿给家庭带来了巨大的痛苦和不幸。自闭症被认为是一种复杂的神经发育疾病,尽管目前对其病因有各种各样的假说,但其确切的发病原因尚不明确。而近年来,自闭症发病率在逐渐升高，自闭症的临床治疗困境愈发紧迫。研究显示神经病理学、突触功能紊乱、炎症信号通路激活等分子机制均有报道参与自闭症的病理过程。但由于发病机制不清，自闭症目前尚无有效治疗方法。虽然有一些药物应用于临床对症治疗，但都是在一定程度上减轻某些临床症状为主，并不能改变自闭症的病程。尤其对于核心的语言和交流障碍更是缺乏有效药物。发明内容本发明的目的是提供一种可穿戴光电一体化自闭症治疗仪，以解决上述现有技术存在的问题，该治疗仪经济、耐用、轻便、可穿戴，有利于在医院、家庭中自闭患者的治疗及康复期的使用、推广。为实现上述目的，本发明提供了如下方案：本发明提供一种可穿戴光电一体化自闭症治疗仪，包括治疗头盔，所述治疗头盔的头盔本体上设置有与电源电联接的操作面板和纳米多光子照射区，所述纳米多光子照射区包括前额区光照探头、顶骨区光照探头、太阳穴区光照探头和小脑部位光照探头，所述操作面板上设置有分别与所述纳米多光子照射区的各个区电联接的光照射按钮。优选的，所述前额区光照探头设置在所述头盔本体上对应人体前额区的位置，且所述前额区光照探头采用波长为670±20nm的纳米多光子照射。优选的，所述顶骨区光照探头设置在所述头盔本体上对应人体顶骨区颅骨的位置，且所述顶骨区光照探头采用波长为670±20nm的纳米多光子照射。优选的，所述太阳穴区光照探头设置在所述头盔本体上对应人体头部两侧太阳穴的位置，且所述太阳穴区光照探头采用波长为650±20nm的纳米多光子照射。优选的，所述小脑部位光照探头设置在所述头盔本体上对应人体头部小脑部位颅骨的位置，且所述小脑部位光照探头采用波长为800±20nm的纳米多光子照射。优选的，所述头盔本体上还设置有人耳甲区磁贴片，所述人耳甲区磁贴片包括与低频刺激器连接的左耳低频刺激磁贴和右耳低频刺激磁贴；所述低频刺激器与所述电源电联接。优选的，所述低频刺激器通过所述操作面板上的低频刺激按钮与所述电源电联接。优选的，所述左耳低频刺激磁贴和右耳低频刺激磁贴中均包括相互贴合连接的磁贴和导电贴片。优选的，所述低频刺激器采用低频直流波，该低频直流波为连续波，且该低频直流波的频率为2Hz或40Hz，波宽为0.2ms，电刺激强度为1-4mA。优选的，所述电源为可充电5V锂电池，且所述头盔本体中还设置有与所述电源电联接的38度温度控制过载保护器。本发明相对于现有技术取得了以下技术效果：1、本发明中的可穿戴光电一体化自闭症治疗仪，采用了最新LED纳米光照技术，利用纳米多光子进行脑部照射；LED灯成本低，照射效果好、穿透强度高、相对激光安全可靠。同时，为避免光的热效应，在本仪器设置了38度温控过载保护器。防止对儿童脑部皮肤的灼伤。2、本治疗仪采用了最新科研成果，利用连续波：频率为2Hz或40Hz，波宽0.2ms，电刺激强度1～4mA，对人体进行低频刺激，来提高记忆的同时，增强神经干细胞的再生，来恢复神经核团的功能。3、本治疗仪的低频刺激采用磁贴技术，避免对儿童耳部造成挤压的皮肤伤害、疼痛。4、本治疗仪采用的非药物的物理疗法，避免药物副作用。同时，采用了轻便的高仿生头盔，可穿戴，而且不影响日常活动。5、本治疗仪采用可反复充电的5V锂电池；5V电压远低于40V人体可感知的电压，不会对儿童的身体-特别是脑造成伤害。6、本治疗仪经济、耐用、轻便、可穿戴，有利于在医院、家庭中自闭患者的治疗及康复期的使用、推广。附图说明为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为治疗头盔的正面结构示意图；图2为治疗头盔的背面结构示意图；其中，1电源；2低频刺激器；3前额区光照探头；4太阳穴区光照探头；5导电贴片；6磁贴片；7右耳低频刺激磁贴；8左耳低频刺激磁贴；9低频刺激按钮；10光照射按钮；11充电显示灯；12电池接口；13电源线；14变压插头；15顶骨区光照探头；16小脑部位光照探头。具体实施方式下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。本发明的目的是提供一种可穿戴光电一体化自闭症治疗仪，以解决上述现有技术存在的问题，该治疗仪经济、耐用、轻便、可穿戴，有利于在医院、家庭中自闭患者的治疗及康复期的使用、推广。基于此，本发明提供的可穿戴光电一体化自闭症治疗仪，包括治疗头盔，治疗头盔的头盔本体上设置有与电源电联接的操作面板和纳米多光子照射区，纳米多光子照射区包括前额区光照探头、顶骨区光照探头、太阳穴区光照探头和小脑部位光照探头，操作面板上设置有分别与纳米多光子照射区的各个区电联接的光照射按钮。为使本发明的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图和具体实施方式对本发明作进一步详细的说明。请参考图1-2，其中，图1为治疗头盔的正面结构示意图；图2为治疗头盔的背面结构示意图。如图1-2所示，本发明提供一种可穿戴光电一体化自闭症治疗仪。自闭症患者脑部组织包括额叶皮质区、扣带回、海马回、杏仁核、颞叶及额叶和小脑显示结构或功能异常。杏仁核的损伤会使自闭症儿童在对社会刺激的定向上有困难。海马的损伤会使延迟的动作模仿有困难，进而影响到社会互动、移情等社会交往技能的发展。内侧颞叶的杏仁核、海马、近嗅皮质及眶前额皮质等结构的机能障碍，会对面部表情的认知、动作的模仿、视觉认知的记忆、注意中心的定向等方面的技能产生不同程度的影响。其次：小脑发生病变可能是导致注意障碍的原因。小脑一额叶之间环路的异常，导致自闭症患者在语言发展、社会交往、动作模仿、注意转移、联想学习、认知记忆等方面存在功能障碍。自闭症的产生也可能是多个脑区存在机能障碍共同作用的结果，而不仅仅局限于某个脑区的作用。基于此，本发明中的可穿戴光电一体化自闭症治疗仪，包括5个不同纳米波长光子的照射头，一个低频直流刺激器，一对耳磁贴。本治疗仪主要根据自闭症儿童脑部前额叶、海马、杏仁核、小脑区异常，并根据脑部不同区颅骨厚度，采用最新的LED多光子照射来激活脑区，恢复神经核团功能。前额和顶骨区颅骨厚度约5毫米，采用670±20纳米光子照射；太阳穴部位颅骨厚度约1毫米，用650±20纳米光子照射；小脑部位颅骨为头部最厚约8毫米，用800±20纳米光子照射。而我们研究显示这些波段的纳米光子能穿透颅骨，激活脑区神经元，提高线粒体代谢，并合成细胞能量物质-三磷酸腺苷ATP，有利于恢复神经核团功能。其次，本治疗仪采用最新发现的对脑记忆有增强效应的低频直流波-疏密波：频率为2Hz或40Hz，波宽0.2ms，电刺激强度1～4mA，对人体进行低频刺激。研究显示：2Hz低频波可刺激脑部神经递质-乙酰胆碱释放，提高记忆能力；而40Hz低频波可提高人脑电Υ波稳定有利于记忆的形成及维持；同时二者组成的疏密波可刺激神经干细胞的再生，而恢复神经核团功能。更具体地，本发明中可穿戴光电一体化自闭症治疗仪，包括治疗头盔，治疗头盔的头盔本体上设置有与电源1电联接的操作面板和纳米多光子照射区，纳米多光子照射区包括前额区光照探头3、顶骨区光照探头15、太阳穴区光照探头4和小脑部位光照探头16，操作面板上设置有分别与纳米多光子照射区的各个区电联接的光照射按钮10。其次，头盔还包括人耳甲区磁贴片6，人耳甲区磁贴片6包括与低频刺激器2连接的左耳低频刺激磁贴8和右耳低频刺激磁贴7；低频刺激器2通过第一操作面板上的低频刺激按钮9与电源1电联接。左耳低频刺激磁贴8和右耳低频刺激磁贴7中均包括相互贴合连接的磁贴片6和导电贴片5。该治疗仪的低频刺激器2采用最新发现的对脑记忆有增强效应的低频直流波对人耳甲区进行低频刺激，来提高记忆。进一步地，电源1为可充电5V锂电池，且头盔本体中还设置有与电源1电联接的38度温度控制过载保护器。锂电池通过电池接口12与电源线13连接，电源线13的另一端连接变压插头14，通过变压插头14连接电源1来为锂电池进行充电，充电过程中，操作面板上的充电显示灯11指示是否已充满。本发明中应用了具体个例对本发明的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本发明的方法及其核心思想；同时，对于本领域的一般技术人员，依据本发明的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处。综上所述，本说明书内容不应理解为对本发明的限制。

权利要求：1.一种可穿戴光电一体化自闭症治疗仪，其特征在于：包括治疗头盔，所述治疗头盔的头盔本体上设置有与电源电联接的操作面板和纳米多光子照射区，所述纳米多光子照射区包括前额区光照探头、顶骨区光照探头、太阳穴区光照探头和小脑部位光照探头，所述操作面板上设置有分别与所述纳米多光子照射区的各个区电联接的光照射按钮。2.根据权利要求1所述的可穿戴光电一体化自闭症治疗仪，其特征在于：所述前额区光照探头设置在所述头盔本体上对应人体前额区的位置，且所述前额区光照探头采用波长为670±20nm的纳米多光子照射。3.根据权利要求1所述的可穿戴光电一体化自闭症治疗仪，其特征在于：所述顶骨区光照探头设置在所述头盔本体上对应人体顶骨区颅骨的位置，且所述顶骨区光照探头采用波长为670±20nm的纳米多光子照射。4.根据权利要求1所述的可穿戴光电一体化自闭症治疗仪，其特征在于：所述太阳穴区光照探头设置在所述头盔本体上对应人体头部两侧太阳穴的位置，且所述太阳穴区光照探头采用波长为650±20nm的纳米多光子照射。5.根据权利要求1所述的可穿戴光电一体化自闭症治疗仪，其特征在于：所述小脑部位光照探头设置在所述头盔本体上对应人体头部小脑部位颅骨的位置，且所述小脑部位光照探头采用波长为800±20nm的纳米多光子照射。6.根据权利要求1所述的可穿戴光电一体化自闭症治疗仪，其特征在于：所述头盔本体上还设置有人耳甲区磁贴片，所述人耳甲区磁贴片包括与低频刺激器连接的左耳低频刺激磁贴和右耳低频刺激磁贴；所述低频刺激器与所述电源电联接。7.根据权利要求6所述的可穿戴光电一体化自闭症治疗仪，其特征在于：所述低频刺激器通过所述操作面板上的低频刺激按钮与所述电源电联接。8.根据权利要求6所述的可穿戴光电一体化自闭症治疗仪，其特征在于：所述左耳低频刺激磁贴和右耳低频刺激磁贴中均包括相互贴合连接的磁贴和导电贴片。9.根据权利要求6所述的可穿戴光电一体化自闭症治疗仪，其特征在于：所述低频刺激器采用低频直流波，该低频直流波为连续波，且该低频直流波的频率为2Hz或40Hz，波宽为0.2ms，电刺激强度为1-4mA。10.根据权利要求1所述的可穿戴光电一体化自闭症治疗仪，其特征在于：所述电源为可充电5V锂电池，且所述头盔本体中还设置有与所述电源电联接的38度温度控制过载保护器。

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