申请/专利权人：佛山市国星光电股份有限公司

申请日：2021-06-30

公开（公告）日：2024-04-09

公开（公告）号：CN113540017B

主分类号：H01L23/498

分类号：H01L23/498;H01L25/07;H01L25/16;H01L21/52;H01L21/48;H01L21/60

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.09#授权;2021.11.09#实质审查的生效;2021.10.22#公开

摘要：本发明公开一种IGBT模块封装结构及其制作方法，其中IGBT模块封装结构的底板上依次层叠设置有基板和线路层，基板的第一金属层的凹槽内设置有第一芯片和第二芯片，第一芯片和第二芯片的底部电极通过第一金属层与线路层上的第一连接端子电连接，第一芯片的顶部电极和第二芯片的一个顶部电极与线路层上的第二连接端子电连接，第二芯片的另一个顶部电极与线路层上的第三连接端子电连接；外壳上设置有三个引线端子，三个引线端子分别与三个连接端子电连接。将第一芯片和第二芯片设置在凹槽内，减小了IGBT模块封装结构的尺寸；通过在第一金属层上设置线路层，实现了芯片之间的低功耗和高速通讯，提高了IGBT模块可靠性。

主权项：1.一种IGBT模块封装结构，其特征在于，包括：底板，所述底板上依次层叠设置有基板和线路层，所述基板包括绝缘层和第一金属层，所述第一金属层位于所述绝缘层和所述线路层之间，所述第一金属层的上表面设置有凹槽，所述凹槽的槽口朝向所述线路层开设，所述凹槽内间隔设置有第一芯片和第二芯片，所述第一芯片和所述第二芯片均设置有顶部电极和底部电极，所述第一芯片和所述第二芯片的所述底部电极通过所述第一金属层与所述线路层上的第一连接端子电连接，所述第一芯片的所述顶部电极和所述第二芯片的一个所述顶部电极与所述线路层上的第二连接端子电连接，所述第二芯片的另一个所述顶部电极与所述线路层上的第三连接端子电连接；外壳，所述外壳上设置有三个引线端子，三个所述引线端子分别与所述线路层上的所述第一连接端子、所述第二连接端子和所述第三连接端子电连接，所述外壳和所述底板连接且二者之间形成容纳腔，所述基板、所述第一芯片、所述第二芯片和所述线路层均位于所述容纳腔内；所述基板包括第三金属层，所述第三金属层位于所述绝缘层和所述底板之间；功能元件，所述功能元件设置在所述线路层上，所述功能元件通过所述线路层与所述第一芯片和所述第二芯片电连接，所述功能元件设置有多个，至少两个所述功能元件堆叠在所述线路层的上表面，且所述功能元件位于相邻两个所述引线端子的间隔间隙内。

全文数据：

权利要求：

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