申请/专利权人：无锡中微晶园电子有限公司

申请日：2020-12-03

公开（公告）日：2024-04-09

公开（公告）号：CN112582495B

主分类号：H01L31/101

分类号：H01L31/101;H01L31/0216;H01L31/0232;H01L31/18

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.09#授权;2021.04.16#实质审查的生效;2021.03.30#公开

摘要：本申请提供了一种红外增强型硅基光电探测器，涉及硅基光电探测器技术领域，所述红外增强型硅基光电探测器包括：正面减反射膜、pn结、正面金属电极、背面全反射结构、背面反射层和背面金属电极。解决了红外光不易吸收引起的硅基光电探测器响应低的难题，达到了可以增强红外波长的光学吸收的效果。

主权项：1.一种红外增强型硅基光电探测器，其特征在于，所述红外增强型硅基光电探测器包括：正面减反射膜、pn结、正面金属电极、背面全反射结构、背面反射层和背面金属电极；所述背面全反射结构包含有第一倾斜面和第二倾斜面，所述第一倾斜面和所述第二倾斜面为平面、上凸和或下凹的表面；所述背面全反射结构中第一倾斜面与水平面夹角为9°，第二倾斜面与水平面夹角为90°；所述正面减反射膜采用207nm的氧化硅膜；所述背面反射层采用氧化硅和氧化钛的叠层膜，构成布拉格光栅结构，周期数为20；其中氧化硅的厚度为207nm，氧化钛的厚度为135nm。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 无锡中微晶园电子有限公司 红外增强型硅基光电探测器

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