申请/专利权人：深圳市麦捷微电子科技股份有限公司

申请日：2019-03-20

公开（公告）日：2024-04-09

公开（公告）号：CN111726101B

主分类号：H03H9/02

分类号：H03H9/02;H03H9/145

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.09#授权;2020.10.27#实质审查的生效;2020.09.29#公开

摘要：本发明涉及声表面波器件领域。普通STD‑SAW器件对温度变化很敏感，性能变化比较明显。为此，本发明提供一种TC‑SAW器件，包括压电材料基板和设在压电材料基板上的叉指电极，还包括覆盖在叉指电极上的温度补偿层、压电材料基板上的第三层金属PAD层和最外层的钝化层；及其制造方法，包括涂覆光刻胶层、沉积金属薄膜、沉积第一层叉指电极层、沉积第二层电极、沉积温度补偿材料、沉积一层用于隔绝空气的钝化层等步骤。所述TC‑SAW器件温度系数能达到0ppmK~‑25ppmK，频率更稳定，Q值更高，能满足移动通信设备的高要求，本发明的制作方法可以用于制作谐振器、滤波器和双工器等元件，应用广泛。

主权项：1.一种TC-SAW器件的制造方法，TC-SAW器件包括压电材料基板和设在压电材料基板上的叉指电极，其特征在于，还包括覆盖在叉指电极上的温度补偿层、压电材料基板上的第三层金属PAD层和最外层的钝化层，所述叉指电极包括第一层叉指电极层和叠加在所述第一层叉指电极层上的第二层电极；所述压电材料基板选自至少如下一种材料：钽酸锂、铌酸锂或石英；所述叉指电极和第三层金属PAD层选自至少如下一种材料：钛、铬、铜、银或铝；所述温度补偿层选自至如下一种材料：二氧化硅、二氧化锗或氟氧化硅；所述钝化层选自至少如下一种材料：氮化硅或二氧化硅，其特征在于，制造方法包括如下步骤：第一步，在压电材料基板的上表面涂覆光刻胶层，采用电子束蒸发，等离子体或磁控溅射在压电材料基板下表面沉积金属薄膜，最后去除压电材料基板上表面的光刻胶层；第二步，在压电材料基板的上表面涂覆光刻胶层并进行曝光、烘烤、显影、坚膜，得到纵剖面呈倒“八”字型的光刻胶层，然后在上述步骤制得的产品上表面沉积金属薄膜；第三步，采用湿法剥离去除工艺去除上一步处理后所有光刻胶及光刻胶上的金属薄膜，与压电材料基板紧密接触的金属薄膜被保留下来，形成第一层叉指电极层；第四步，在上一步制得的基础上再进行涂覆光刻胶并依次进行曝光，显影，金属沉积和湿法剥离工艺，在已沉积的第一层叉指电极上沉积第二层电极；第五步，采用物理气相沉积法或磁控溅射法在上一步制得的产品的上表面沉积一层具有正温度系数的温度补偿材料；第六步，采用化学机械平坦化处理温度补偿层；第七步，在温度补偿层上方均匀涂覆光刻胶层，曝光，显影之后，通过干法刻蚀对未被光刻胶保护的区域进行刻蚀，直至露出连接第一层叉指电极层上的目标金属图形，并在所述目标金属图形上沉积第三层金属PAD层，最后采用湿法剥离工艺所有光刻胶及光刻胶上的金属；第八步，采用等离子体增强化学的气相沉积法在温度补偿层和第三层金属PAD层上再沉积一层用于隔绝空气的钝化层；第九步，在钝化层上方均匀涂覆光刻胶层，曝光，显影之后，通过干法刻蚀对未被光刻胶保护的区域进行刻蚀，直到露出第三层金属PAD层的上表面；第十步，采用湿法刻蚀方式去除压电材料基板下表面的金属膜，并对压电材料基板下表面，通过抛光，研磨减小压电材料基板的厚度。

全文数据：

权利要求：

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