申请/专利权人：长春理工大学

申请日：2023-04-28

公开（公告）日：2024-04-09

公开（公告）号：CN116496788B

主分类号：C09K11/84

分类号：C09K11/84

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.09#授权;2023.08.15#实质审查的生效;2023.07.28#公开

摘要：本发明公开了一种增强Gd2O2S:Tb3+荧光材料激发和发射光谱强度的方法，通过将原料Gd2SO43·8H2O、Gd2O3、C粉、Tb4O7和烧结助剂KCl、LiF和K3PO4·3H2O按照化学计量比称取并研磨至混合均匀，利用双碳还原技术，在1150℃～1450℃的温度下煅烧0.5～6h，即得到具有优异发光性能的Gd2O2S:Tb3+荧光材料粉体。

主权项：1.一种增强Gd2O2S:Tb3+荧光材料激发和发射光谱强度的方法，其特征在于：以Gd2O3、Gd2SO43·8H2O、C粉和Tb4O7作为原料，通过引入KCl、LiF和K3PO4三种烧结助剂实现增强发光，利用双碳还原技术，在1150～1450℃下C粉提供的还原性气氛中煅烧0.5～6h获得Gd2O2S:Tb3+荧光材料，激发和发射光谱强度得到了增强。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 长春理工大学 一种增强铽掺杂硫氧化钆荧光材料发光强度的方法

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