申请/专利权人：长春理工大学

申请日：2023-04-27

公开（公告）日：2024-04-09

公开（公告）号：CN116515487B

主分类号：C09K11/84

分类号：C09K11/84

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.09#授权;2023.08.18#实质审查的生效;2023.08.01#公开

摘要：本发明公开了一种采用双碳还原技术一步合成微米级Gd2O2S:Tb3+荧光材料的方法，具体步骤是：将C粉、Gd2SO43·8H2O，Tb4O7作为原料和烧结助剂按照化学计量比称取，研磨至混合均匀，由过量C粉煅烧提供还原性气氛，送入箱式电阻炉在1250℃‑1350℃的温度下进行烧结，即可得到Gd2O2S:Tb3+粉体。本发明提供的Gd2O2S:Tb3+荧光材料制备技术中原料不含有硫单质，工艺方法简单，合成过程中不产生SO2气体，是一种工艺简单的环境友好型制备技术，可制备得到微米级的Gd2O2S:Tb3+荧光材料。

主权项：1.一种环境友好、工艺简单的一步合成Gd2O2S:Tb3+微米级荧光材料的制备方法，其特征在于：采用双碳还原技术制备得到了Gd2O2S:Tb3+微米级荧光材料，简单过程为，以Gd2SO43·8H2O、Tb4O7、C粉作为原料，以KCl作为烧结助剂，在C粉提供的还原性气氛中1250℃～1350℃下煅烧1～5h即得到Gd2O2S:Tb3+荧光材料。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 长春理工大学 一种双碳还原合成Gd₂O₂S:Tb³⁺微米级荧光材料的制备技术

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