申请/专利权人：中国计量大学

申请日：2023-06-02

公开（公告）日：2024-04-23

公开（公告）号：CN117917489A

主分类号：C30B29/12

分类号：C30B29/12;C30B7/10

优先权：

专利状态码：在审-公开

法律状态：2024.04.23#公开

摘要：本发明属于全无机非铅金属卤化物发光领域，具体涉及一种Zr4+掺杂制备新型厘米级Cs2ZnCl4单晶的方法，该方法通过引入不同比例的Zr4+作为激活剂，利用Zr4+的本征自陷激子发光行为，实现了Cs2ZnCl4单晶的蓝色发光。本发明使用的晶体制备方法基于水热反应形成单晶的原理，其操作步骤主要包括粉末原料称取与溶解，反应溶液装配，干燥箱高温反应，晶体形核生长，固液混合物分离，晶体烘干与保存，光学性能测试等步骤，该方法具有原料成本低，晶体产率高，工艺简便，安全系数高等优点，通过该方法制备的一系列Zr4+掺杂的Cs2ZnCl4晶体实现了高质量、结构稳定、发光优异等特点，在闪烁和光电领域均具有极高的应用价值。

主权项：1.一种Zr4+掺杂制备厘米级Cs2ZnCl4单晶的方法，具体步骤如下：步骤1，称取一定质量的氯化铯CsCl和氯化锌ZnCl2粉末置于烧杯中，将不同质量的氯化锆ZrCl4粉末分别置于另外的烧杯中，随后分别注入浓盐酸并置于磁力搅拌器上搅拌溶解；步骤2，待药品完全溶解后将上述溶液混合并转移至反应瓶中，随后放入反应釜，然后将反应釜放置在鼓风干燥箱中；步骤3，设定鼓风干燥箱程序，设定六阶段温控程序，分别为N1～N6，N1为第一阶段，干燥箱温度升至160℃，升温时间为1h；N2为第二阶段，温度保持160～162℃，时间为20h；N3为第三阶段，温度保持160～162℃，时间为15h；N4为第四阶段，温度降至130℃，时间为6h；N5为第五阶段，降温至70℃，时间为15h；N6为最后阶段，干燥箱自然冷却至室温，程序结束；步骤4，静置两个月后，打开反应釜取出固液混合物，使用抽滤装置进行抽滤洗涤，随后将固体样品转移到真空干燥箱中，烘干后得到Cs2ZnCl4单晶。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 中国计量大学 一种Zr⁴⁺掺杂制备厘米级Cs₂ZnCl₄单晶的方法

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