申请/专利权人:同济大学
申请日:2021-08-24
公开(公告)日:2024-04-23
公开(公告)号:CN113777858B
主分类号:G02F1/361
分类号:G02F1/361
优先权:
专利状态码:有效-授权
法律状态:2024.04.23#授权;2021.12.28#实质审查的生效;2021.12.10#公开
摘要:本发明涉及一种导电高分子非线性光学材料及化学掺杂调控导电高分子非线性吸收性能的方法,导电高分子非线性光学材料由导电高分子和强电子供体化学掺杂剂组成;所述的强电子供体化学掺杂剂用于通过化学掺杂改变导电高分子的能带结构,实现导电高分子非线性光学性能的调控。与现有技术相比,本发明通过强电子供体去掺杂化导电高分子,使得导电高分子材料能带结构发生了明显变化,进而影响其非线性光学性能。通过控制伯胺掺杂的量可控制导电高分子的去掺杂化程度,不同程度的去掺杂化导电高分子具有不同的非线性光学性能,这些非线性吸收性能优异的导电高分子非线性光学材料可以适用于不同的应用场景。
主权项:1.一种导电高分子非线性光学材料,其特征在于,由导电高分子和强电子供体化学掺杂剂组成;所述的强电子供体化学掺杂剂用于通过化学掺杂改变导电高分子的能带结构,实现导电高分子非线性光学性能的调控;所述的导电高分子包括PEDOT:PSS或P3HT:F4TCNQ;所述的强电子供体化学掺杂剂为伯胺类,伯胺掺杂时,通过控制伯胺掺杂的量,改变导电高分子的去掺杂化程度,不同程度的去掺杂化导电高分子具有不同的非线性光学性能;当导电高分子为PEDOT:PSS时,将强电子供体化学掺杂剂与PEDOT:PSS溶液混合后通过在基底上旋涂制备成薄膜,得到所述的导电高分子非线性光学材料;当导电高分子为P3HT:F4TCNQ时,先在基底上形成P3HT:F4TCNQ薄膜,再将P3HT:F4TCNQ薄膜在强电子供体化学掺杂剂的丙酮溶液浸泡,得到所述的导电高分子非线性光学材料。
全文数据:
权利要求:
百度查询: 同济大学 一种导电高分子非线性光学材料及化学掺杂调控导电高分子非线性吸收性能的方法
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