申请/专利权人：应用材料公司

申请日：2022-07-22

公开（公告）日：2024-04-05

公开（公告）号：CN117836898A

主分类号：H01J37/32

分类号：H01J37/32

优先权：["20210823 US 63/236,166","20220603 US 17/831,781"]

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.23#实质审查的生效;2024.04.05#公开

摘要：一种等离子体处理腔室包含一个或多个侧壁并且在侧壁内的支撑表面固持工件。独立气体注入器的阵列围绕侧壁分布。泵送口沿着侧壁以从腔室喷射气体。在工件上的材料的蚀刻速率均匀性通过以下步骤控制：使用阵列气体注入器跨工件注入一个或多个气体流；从相邻独立气体注入器的第一集合注入第一气体流以蚀刻工件上的材料；以及同时从剩余气体注入器注入第二气体流。第二气体流稀释第一气体流以减小工件上具有较快蚀刻速率的区域、或用作额外蚀刻剂以增加在工件的具有较快蚀刻速率的区域中的蚀刻速率。

主权项：1.一种等离子体处理腔室，包含：一个或多个侧壁；支撑件，在所述一个或多个侧壁内以固持工件；独立气体注入器的阵列，围绕所述一个或多个侧壁的周边分布；一个或多个泵送口，沿着所述一个或多个侧壁以从所述等离子体处理腔室喷射气体；和控制器，经配置为在蚀刻应用期间控制所述等离子体处理腔室，其中所述工件上的材料的蚀刻速率均匀性通过以下步骤调谐或控制：使用独立气体注入器的所述阵列以在大体平行于并且跨所述工件的表面的方向上注入一个或多个气体流；从所述独立气体注入器中的相邻气体注入器的第一集合注入第一气体流以蚀刻所述工件上的所述材料；和同时从所述独立气体注入器的剩余集合的至少一部分注入第二气体流，其中所述第二气体流用于i稀释所述第一气体流以减小所述工件上具有较快蚀刻速率的区域；或ii用作额外蚀刻剂以增加所述工件的具有所述较快蚀刻速率的所述区域中的所述蚀刻速率。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 应用材料公司 具有均匀调谐的多相旋转交叉流的等离子体腔室

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