申请/专利权人：天津科技大学

申请日：2023-10-24

公开（公告）日：2024-04-05

公开（公告）号：CN117819981A

主分类号：C04B35/58

分类号：C04B35/58;C04B35/622

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.23#实质审查的生效;2024.04.05#公开

摘要：本发明涉及一种Cu2Se掺杂的MgB2块材，该超导材料由硼粉、镁粉和Cu2Se掺杂物混合经固相烧结制备而得。本发明还涉及一种Cu2Se掺杂的MgB2块材制备方法，具体步骤为：原料准备：镁粉，纯度99.9％，粒径40μm；无定形硼粉，纯度99％，粒径0～20μm，硒化亚铜粉末，纯度99.5％，其中所述硼粉和镁粉的摩尔比为2:1，所述掺杂物硒化亚铜粉末的质量占整体粉末重量的5％～30％；按比例称取原料，通过玛瑙钵将粉末充分研磨1h，形成均匀混合粉末；将得到的均匀混合粉末装入模具中，压制成块材，压强为6～10MPa；将块材放入陶瓷方舟在惰性气体Ar流通的真空管式炉进行高温烧结。本发明的Cu2Se掺杂的MgB2块材及其制备方法有效改善MgB2超导体的载流性能。

主权项：1.一种Cu2Se掺杂的MgB2块材，其特征在于：该块材由硼粉、镁粉和硒化亚铜粉末掺杂物混合经固相烧结制备而得，其中各组分的质量份数比为：硼粉0.22重量份；镁粉0.24重量份；硒化亚铜粉末0.0242g～0.1971重量份。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 天津科技大学 一种Cu₂Se掺杂的MgB₂块材及其制备方法

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