申请/专利权人:安徽科瑞思创晶体材料有限责任公司
申请日:2024-01-10
公开(公告)日:2024-04-05
公开(公告)号:CN117822091A
主分类号:C30B15/00
分类号:C30B15/00;C30B15/20;C30B29/12;C30B27/02;G02F1/09
优先权:
专利状态码:在审-实质审查的生效
法律状态:2024.04.23#实质审查的生效;2024.04.05#公开
摘要:本发明公开了一种氟化铽锂磁光晶体的生长方法,涉及晶体生长技术领域。本发明氟化铽锂磁光晶体的生长方法包括如下步骤:S1:将TbF3和LiF混料,得到混合料;S2:将放置有混合料的坩埚放入单晶炉中,关闭炉门抽真空、冲入保护气体;S3:控制升温速度使混合料完全熔融,继续升温熔融一段时间,得到熔体,将籽晶下入熔体液面下进行晶体生长,晶体生长完成后降至室温,得到氟化铽锂磁光晶体。本发明的生长方法制备的氟化铽锂磁光晶体具有内部应力分布均匀,光学均匀性好的优点。
主权项:1.一种氟化铽锂磁光晶体的生长方法,其特征在于,包括如下步骤:S1:将TbF3和LiF混料,得到混合料;S2:将放置有混合料的坩埚放入单晶炉中,关闭炉门抽真空、冲入保护气体;S3:控制升温速度使混合料完全熔融,继续升温熔融一段时间,得到熔体,将籽晶下入熔体液面下进行晶体生长,晶体生长完成后降至室温,得到氟化铽锂磁光晶体。
全文数据:
权利要求:
百度查询: 安徽科瑞思创晶体材料有限责任公司 一种氟化铽锂磁光晶体的生长方法
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