申请/专利权人：江西兆驰半导体有限公司

申请日：2024-03-04

公开（公告）日：2024-04-05

公开（公告）号：CN117832347A

主分类号：H01L33/12

分类号：H01L33/12;H01L33/00

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.23#实质审查的生效;2024.04.05#公开

摘要：本发明提供一种Micro‑LED外延片及其制备方法、LED芯片，其中Micro‑LED外延片包括缓冲层，所述缓冲层为周期性交叠结构，包括第一缓冲子层和第二缓冲子层，所述第一缓冲子层的厚度大于所述第二缓冲子层，其中，所述第一缓冲子层为AlNbN层，所述第二缓冲子层为AlONbN层。本发明中的Micro‑LED外延片，通过采用AlNbN作为第一缓冲子层材料使得具有更小的晶格失配度，能更好的起到缓冲过渡的作用，可以降低因晶格失配而产生的位错，从而提高外延层生长的晶体质量；此外，AlONbN具有很低的内应力，采用AlONbN作为第二缓冲子层能够调节外延层的翘曲，解决了现有技术中的缺少一种满足Micro‑LED显示需要求的位错密度低、晶体质量高、发光效率高的Micro‑LED外延片问题。

主权项：1.一种Micro-LED外延片，其特征在于，包括缓冲层，所述缓冲层为周期性交叠结构，包括第一缓冲子层和第二缓冲子层，所述第一缓冲子层的厚度大于所述第二缓冲子层，其中，所述第一缓冲子层为AlNbN层，所述第二缓冲子层为AlONbN层。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 江西兆驰半导体有限公司 一种Micro-LED外延片及其制备方法、LED芯片

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