申请/专利权人：湖北理工学院

申请日：2024-01-16

公开（公告）日：2024-04-05

公开（公告）号：CN117833027A

主分类号：H01S5/40

分类号：H01S5/40;H01S5/343;H01S5/20

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.23#实质审查的生效;2024.04.05#公开

摘要：本发明公开了一种单片集成硅基III‑V族多波长激光器及制备方法，制备方法包括用SOI衬底的顶层硅层制备叉形耦合器和合波器，制备第一二氧化硅层，在第一二氧化硅层和SOI衬底的掩埋氧化层中制备矩形沟槽阵列，在矩形沟槽底部的SOI衬底的衬底硅层中制备V形硅沟槽，在V形硅沟槽和矩形沟槽内外延生长III‑V族亚微米线，制备N电极和P电极，制备高反射率的DBR光栅和低反射率的DBR光栅。本发明为硅上单片集成III‑V族多波长激光器提供了电注入方案和光耦合方案，有利于实现硅基光电子芯片的大规模单片集成。

主权项：1.一种单片集成硅基III-V族多波长激光器，包括设置在同一SOI基板上的N电极区，P电极和反射光栅区以及硅光器件区；所述N电极区远离硅光器件区，所述P电极和反射光栅区在N电极区和硅光器件区中间；所述硅光器件区包括叉形耦合器阵列和合波器，所述叉形耦合器阵列包含多个呈陈列间隔设置的叉形耦合器；所述P电极和反射光栅区包括多条平行设置的III-V族亚微米线，所述III-V族亚微米线的数量与叉形耦合器数量相同且位置一一对应设置；III-V族亚微米线的一端延伸至N电极区，III-V族亚微米线的另一端延伸至叉形耦合器的两个叉臂之间；III-V族亚微米线宽度小于1μm，III-V族亚微米线长度在10μm～500μm之间。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 湖北理工学院 一种单片集成硅基III-V族多波长激光器及制备方法

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。

阅读全文 双屏查看 官方信息 专利公告 收藏专利 下载PDF 下载WORD