申请/专利权人：杭州当虹科技股份有限公司

申请日：2023-12-27

公开（公告）日：2024-04-05

公开（公告）号：CN117830244A

主分类号：G06T7/00

分类号：G06T7/00;G06T7/11;G06T5/70;G06T7/80;G06T7/90;G06N3/0499

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.23#实质审查的生效;2024.04.05#公开

摘要：本发明公开了一种基于红外高光谱分析的绝缘子材料污垢程度检测方法，包括以下步骤：采集绝缘子材料红外高光谱图像，基于黑白图像校正技术对绝缘子红外高光谱图像进行包括去噪和分割的预处理；基于多元散射校正技术剔除所述高光谱图像中误差较大的波谱曲线，利用随机蛙跳算法提取高光谱的特征波段；基于核极限学习机的绝缘子污垢程度检测模型以及高光谱图像进行绝缘子污垢程度检测。

主权项：1.一种基于红外高光谱分析的绝缘子材料污垢程度检测方法，其特征在于，包括以下步骤：采集绝缘子材料红外高光谱图像，基于黑白图像校正技术对绝缘子红外高光谱图像进行包括去噪和分割的预处理；基于多元散射校正技术剔除所述高光谱图像中误差较大的波谱曲线，利用随机蛙跳算法提取高光谱的特征波段；基于核极限学习机的绝缘子污垢程度检测模型以及高光谱图像进行绝缘子污垢程度检测。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 杭州当虹科技股份有限公司 基于红外高光谱分析的绝缘子材料污垢程度检测方法

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