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【发明公布】一种两级逆变器中多移相调制DAB的二次谐波电流抑制方法_上海电力大学_202311830254.1 

申请/专利权人:上海电力大学

申请日:2023-12-27

公开(公告)日:2024-04-05

公开(公告)号:CN117833626A

主分类号:H02M1/12

分类号:H02M1/12;H02M7/5387;H02M7/5395;H02M3/335;H02J3/38

优先权:

专利状态码:在审-实质审查的生效

法律状态:2024.04.23#实质审查的生效;2024.04.05#公开

摘要:本发明涉及一种两级逆变器中多移相调制DAB的二次谐波电流抑制方法,主要包括:计算DAB最小电感电流应力条件下的最优移相控制参数;采用小带宽PI控制器增大前端DAB变换器的闭环输出阻抗,达到抑制前端DAB变换器中二次谐波电流的效果;设计小带宽PI控制器下带二倍频陷波器的负载电流前馈控制策略;将带二倍频陷波器的负载电流前馈引入低穿越频率电压闭环控制,以提高前端DAB变换器的动态性能,同时滤除因负载电流前馈重新引入的二次谐波分量。与现有技术相比,本发明适用于各类多重移相调制策略,同时大大减弱计算复杂度,本发明不需要考虑中间母线电容值的准确性,能够很好地适用于两级单相逆变器前端采用各类多重移相调制DAB变换器的二次谐波电流抑制。

主权项:1.一种两级逆变器中多移相调制DAB的二次谐波电流抑制方法,其特征在于,包括以下步骤:S1、根据两级式单相逆变器中电池侧和电网侧对应的功率关系,确定出DAB变换器的输入电流,用于二次谐波分析;S2、设定DAB变换器的三移相调制策略,用于确定DAB最小电感电流应力条件下的最优移相参数;S3、构建两级单相逆变器系统的平均模型;S4、根据电压闭环控制,建立阻抗分析模型;根据电压闭环控制计算出最佳DAB输出侧电流给定值,计算DAB最小电感电流应力条件下的最优移相控制参数;采用小带宽PI控制器增大前端DAB变换器的闭环输出阻抗,使其大于中间母线电容的阻抗,达到抑制前端DAB变换器中二次谐波电流的效果;S5、设计小带宽PI控制器下带二倍频陷波器的负载电流前馈控制策略;将带二倍频陷波器的负载电流前馈引入低穿越频率电压闭环控制,以提高前端DAB变换器的动态性能,同时滤除因负载电流前馈重新引入的二次谐波分量。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 上海电力大学 一种两级逆变器中多移相调制DAB的二次谐波电流抑制方法

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