申请/专利权人：中南林业科技大学

申请日：2022-01-27

公开（公告）日：2024-04-05

公开（公告）号：CN114460158B

主分类号：G01N27/48

分类号：G01N27/48;G01N27/30

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.05#授权;2022.05.27#实质审查的生效;2022.05.10#公开

摘要：本发明涉及一种多晶金修饰电极，包括碳电极、碳电极表面的吡啶类配体修饰膜以及被吡啶类配体修饰膜吸附的纳米金，吡啶类配体修饰膜诱导金染液扩繁所述纳米金而形成Au111晶面占主导的多晶金；所述吡啶类配体修饰膜由吡啶类有机物前驱体与所述碳电极共价键合而成；所述吡啶类配体修饰膜厚度在单分子层级别，性质稳定。所述吡啶类配体修饰膜通过碳电极上电还原1,8‑萘啶、4‑氰基吡啶、吡啶‑2‑磺酸和吡啶‑2‑甲酸中的一种制备，得到PyACE；PyACE选择性通过Au100和Au110晶面吸附纳米金，保留其Au111晶面，得到AuNPsPyACE；Au111晶面可诱导扩繁纳米金沿Au111晶面生长，生成多晶金修饰电极Au111‑DPyACE。应用Au111‑DPyACE阳极溶出伏安法检测AsIII时分析灵敏度高、稳定性好、抗干扰性强。

主权项：1.一种Au111晶面占主导的多晶金修饰电极，其特征在于，包括碳电极、设置于碳电极表面的吡啶类配体修饰膜以及被所述吡啶类配体修饰膜吸附的纳米金种子；所述吡啶类配体修饰膜由吡啶类有机物前驱体与所述碳电极共价键合而成；共价键合包括：将碳电极置于含有所述吡啶类有机物前驱体的溶液中，还原处理后进行洗涤，得PyACE；吡啶类配体修饰膜诱导金染液扩繁所述纳米金种子而形成Au111晶面占主导的多晶金结构；扩繁包括：制备纳米金种子溶胶，在具有吡啶类配体修饰膜的碳电极上滴纳米金种子溶胶，组装后洗涤，然后进行表征、活化处理，得AuNPsPyACE；配制HAuCl4+NH2OH·HCl金染液，在所述AuNPsPyACE上滴加所述金染液，静置后清洗，然后进行表征活化处理，得Au111-DPyACE。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 中南林业科技大学 一种多晶金修饰电极、制备方法及在检测As(III)中的应用

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。

阅读全文 双屏查看 官方信息 专利公告 收藏专利 下载PDF 下载WORD