申请/专利权人：哈尔滨工业大学

申请日：2020-07-30

公开（公告）日：2024-04-05

公开（公告）号：CN111939467B

主分类号：A61N1/05

分类号：A61N1/05

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.05#授权;2020.12.04#实质审查的生效;2020.11.17#公开

摘要：本发明公开了一种低阻抗的柔性PDMS基聚合物植入式神经电极及其制备方法，属于神经生物材料技术领域。本发明为了解决现有入式神经电极易出现机械匹配度差、硬度过大、电阻较高等问题。本申请利用碱液对硅片进行湿法刻蚀，使硅片表面产生金字塔微结构，通过在硅片表面电镀一层聚吡咯薄膜使此薄膜也具有金字塔微结构，进一步增加薄膜的比表面积从而降低其阻抗。并且本申请将吡咯薄膜转移到绝缘玻璃片上后在此薄膜上生长微米棒，再镀第二层聚吡咯薄膜以固定微米棒，将此薄膜转移到PDMS基底上，此时微米棒嵌入PDMS中，有效避免电极的分层现象。

主权项：1.一种低阻抗的柔性PDMS基聚合物植入式神经电极的制备方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：步骤一，采用湿法刻蚀在硅片表面形成金字塔结构，刻蚀完成后使用蒸馏水超声清洗5min～10min；步骤二，在步骤一处理后的硅片上旋涂光刻胶，并进行光刻；步骤三，在光刻后的硅片上采用电镀法电镀聚吡咯薄膜；步骤四，将聚吡咯薄膜从硅片上剥落，使用去离子水和乙醇分别冲洗3～4次，转移到绝缘玻璃上，然后采用循环伏安法在聚吡咯薄膜上合成聚吡咯微米棒；步骤五，再采用电镀法电镀一层聚吡咯薄膜以固定微米棒，完成电极制备，此步骤电镀条件及参数设定与步骤三中电镀条件及参数设定相同；步骤六，采用盖印法将制备完成的电极转移至PDMS基聚合物基底上，获得植入式神经电极。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 哈尔滨工业大学 低阻抗柔性PDMS基聚合物植入式神经电极及制备方法

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