申请/专利权人：吉林大学

申请日：2022-09-07

公开（公告）日：2024-04-05

公开（公告）号：CN115322778B

主分类号：C09K11/66

分类号：C09K11/66;C09K11/02;B82Y20/00;B82Y40/00

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.05#授权;2022.11.29#实质审查的生效;2022.11.11#公开

摘要：本发明涉及光电材料领域，为了解决现有的CsPbBrCl3纳米晶光电性能不佳的问题，公开了苯基三氟甲磺酸酯增强CsPbBrCl3纳米晶光电性能的方法，包括以下步骤：步骤1：将十八烯、油酸以及碳酸铯放在三颈瓶中，得到油酸铯溶液；步骤2：将溴化铅、氯化铅、苯基三氟甲磺酸酯、油酸、油胺以及十八烯倒入到三颈瓶中，并在高温下注入步骤1中的油酸铯溶液。本发明利用苯基三氟甲磺酸酯处理的CsPbBrCl3纳米晶的发光强度和薄膜电导率得到提升，且样品形貌尺寸均一，发光色纯度高，光致发光量子效率高，薄膜电导率提升；且本发明提供的方法，操作简单，耗时少。

主权项：1.苯基三氟甲磺酸酯增强CsPbBrCl3纳米晶光电性能的方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤1：将十八烯、油酸以及碳酸铯放在容器中，在真空环境下，加热脱气干燥，然后在惰性气体氛围下升温，加热搅拌至溶液溶解，得到油酸铯溶液；步骤2：将溴化铅、氯化铅、苯基三氟甲磺酸酯、油酸、油胺倒入到装有十八烯的容器中，在真空环境下，加热脱气干燥，然后在惰性气体氛围下升温，将油酸铯溶液注入，充分反应后将溶液水浴冷却到室温；步骤3：将步骤2中的反应产物离心提纯，将离心后的沉淀物分散到甲苯中，然后继续离心提纯，最后将离心后的沉淀分散到甲苯溶液中，即得到的苯基三氟甲磺酸酯优化后的CsPbBrCl3纳米晶；步骤4：初步制备基于苯基三氟甲磺酸酯优化后的CsPbBrCl3纳米晶的LED；在紫外光处理的清洁的ITO基底上旋涂PEDOT:PSS，之后进行退火处理；然后将底物转移到充满N2气体的手套箱中，在PEDOT:PSS薄膜上旋涂聚[双4-苯基4-丁基苯基胺]（Poly-TPD），形成PEDOT:PSSPoly-TPD层，之后再进行退火处理，将PEDOT:PSSPoly-TPD层作为空穴注入层和传输层；将步骤3中制备好的苯基三氟甲磺酸酯优化后的CsPbBrCl3纳米晶溶液旋涂在PEDOT:PSSPoly-TPD层上，作为发光层；步骤5：将步骤4中获得的产物最后转移到真空腔内，通过热蒸发依次沉积1,3,5-三[3-吡啶基-苯-3-基]苯（TmPyPB）、LiFAl层，其中TmPyPB层作为电子传输层和电子阻挡层，LiFAl层作为顶部电极；由此获得基于苯基三氟甲磺酸酯优化后的CsPbBrCl3纳米晶的LED。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 吉林大学 苯基三氟甲磺酸酯增强CsPb(Br/Cl)3纳米晶光电性能的方法

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