申请/专利权人：成都海威华芯科技有限公司

申请日：2023-12-27

公开（公告）日：2024-04-12

公开（公告）号：CN117872686A

主分类号：G03F7/20

分类号：G03F7/20

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.30#实质审查的生效;2024.04.12#公开

摘要：本发明公开了改善电子束曝光中T型栅图形畸变的方法及T型栅，属于第三代半导体制造技术领域，方法包括：将版图中栅图形的栅线条、栅两端进行分离；设置栅线条、栅两端的曝光步进尺寸；设置栅线条、栅两端的曝光剂量，并将栅线条、栅两端进行合并，得到电子束曝光机台能够识别的图形文件；根据图形文件进行图形曝光处理，进而得到T型栅。本发明将T型栅的栅线条Line与栅两端Pad分离，使电子束曝光机EBL分别对Line、Pad进行曝光，保证Line这一窄线条区域不会接收到Pad曝光时所产生的大量散射电子，从而避免曝光图形产生畸变或失真。

主权项：1.一种改善电子束曝光中T型栅图形畸变的方法，其特征在于：包括以下步骤：将版图中栅图形的栅线条、栅两端进行分离；设置栅线条、栅两端的曝光步进尺寸；设置栅线条、栅两端的曝光剂量，并将栅线条、栅两端进行合并，得到电子束曝光机台能够识别的图形文件；根据图形文件进行图形曝光处理，进而得到T型栅。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 成都海威华芯科技有限公司 改善电子束曝光中T型栅图形畸变的方法及T型栅

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。

阅读全文 双屏查看 官方信息 专利公告 收藏专利 下载PDF 下载WORD