申请/专利权人：西安电子科技大学;陕西天翌科技股份有限公司

申请日：2024-01-26

公开（公告）日：2024-04-12

公开（公告）号：CN117878623A

主分类号：H01Q21/00

分类号：H01Q21/00;H01Q21/06;H01P5/12

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.30#实质审查的生效;2024.04.12#公开

摘要：一种低副瓣低剖面高增益平板天线阵列，包括由上至下依次连接的介质层、缝隙层、腔体层和馈电层；介质层位于天线上方完整覆盖天线；缝隙层中设有周期排布的领结形缝隙形状，领结形缝隙上方有长槽结构加载改善天线增益；腔体层内部具有矩形腔体，矩形腔体中有金属台阶、脊形结构与销钉结构加载，改善天线的阻抗匹配和增益，各腔体通过馈电层中的6级一分二功分器和一分六功分器级联馈电，使用不等幅功分器实现低副瓣性能；本发明实现了低副瓣高增益辐射，具有结构简单、性能稳定、易加工的优点。

主权项：1.一种低副瓣低剖面高增益平板天线阵列，其特征在于：包括由上至下依次连接的介质层1、缝隙层2、腔体层3和馈电层4。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 西安电子科技大学;陕西天翌科技股份有限公司 一种低副瓣低剖面高增益平板天线阵列

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