申请/专利权人：上海元视芯智能科技有限公司

申请日：2024-01-15

公开（公告）日：2024-04-16

公开（公告）号：CN117577657B

主分类号：H01L27/146

分类号：H01L27/146

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.16#授权;2024.03.08#实质审查的生效;2024.02.20#公开

摘要：本公开提供了一种高转换增益的像素单元及图像传感器，其中像素单元包括衬底、光电二极管、传输晶体管、浮动扩散区、双转换增益晶体管、复位晶体管以及源跟随放大器，浮动扩散区被配置为双转换增益晶体管的漏极和复位晶体管的源极，且浮动扩散区在水平面上的投影呈Y字型。本公开提供的像素单元，通过将浮动扩散区与双转换增益晶体管的漏极和复位晶体管的源极进行融合设置，避免了额外的金属走线设置，降低了浮动扩散区对应的浮动扩散电容；同时，通过对浮动扩散区的形状进行优化，进一步降低了浮动扩散电容，使得像素单元在暗光环境下的转换增益值得到了显著提升，进而提升了图像传感器在暗光环境下的成像效果。

主权项：1.一种像素单元，包括衬底、光电二极管、传输晶体管、浮动扩散区、双转换增益晶体管、复位晶体管以及源跟随放大器，其中所述衬底的第一面设置有介质层，传输晶体管栅极、双转换增益晶体管栅极、复位晶体管栅极以及源跟随放大器栅极均设置于所述介质层远离所述第一面的第二面；其特征在于，所述浮动扩散区被配置为所述双转换增益晶体管的漏极和所述复位晶体管的源极；以及所述浮动扩散区于所述第一面上的投影呈Y字型，所述Y字型的三个端部分别与所述传输晶体管栅极、所述双转换增益晶体管栅极、所述复位晶体管栅极在所述第一面上的投影区域相连接；自所述Y字型的中心区域至所述Y字型与所述双转换增益晶体管栅极的投影连接处，以及自所述Y字型的中心区域至所述Y字型与所述复位晶体管栅极的投影连接处，所述浮动扩散区于所述第一面上的投影的宽度单调递增。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 上海元视芯智能科技有限公司 高转换增益像素单元及图像传感器

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