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【发明公布】基于电荷补偿的对数响应高动态范围像素_天津大学_202311849275.8 

申请/专利权人:天津大学

申请日:2023-12-29

公开(公告)日:2024-04-16

公开(公告)号:CN117896633A

主分类号:H04N25/77

分类号:H04N25/77;H04N25/571;H01L27/146

优先权:

专利状态码:在审-公开

法律状态:2024.04.16#公开

摘要:本发明公开基于电荷补偿的对数响应高动态范围像素,基于4T像素结构实现,该4T像素结构的基础上设置一个传输管HDR和一个作为低增益节点的FD2节点,该FD2节点上外接一个MIM电容C,将该4T像素拓展为拥有DCG的5T像素结构,传输管HDR的发射极接作为高增益节点的FD1节点而集电极接FD2节点,FD2节点接点复位管RST的发射极,复位管RST的集电极接VDD,MIM电容C另一端接地;传输管TG的发射极接FD1节点,传输管TG的集电极接光电二极管PD,源级跟随器SF的集电极接地,源级跟随器SF的发射极接行选通管SEL的集电极,行选通管SEL的发射极接列输出线。本发明实现像素动态范围扩大。

主权项:1.基于电荷补偿的对数响应高动态范围像素,其特征在于,基于4T像素结构实现,该4T像素结构的基础上设置一个传输管HDR和一个作为低增益节点的FD2节点,该FD2节点上外接一个MIM电容C,将该4T像素拓展为拥有DCG的5T像素结构,以形成对数响应高动态范围像素;其中,传输管HDR的发射极接作为高增益节点的FD1节点而集电极接FD2节点,FD2节点接点复位管RST的发射极,复位管RST的集电极接VDD,MIM电容C另一端接地;传输管TG的发射极接FD1节点,传输管TG的集电极接光电二极管PD,源级跟随器SF的集电极接地,源级跟随器SF的发射极接行选通管SEL的集电极,行选通管SEL的发射极接列输出线。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 天津大学 基于电荷补偿的对数响应高动态范围像素

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