申请/专利权人：龙腾半导体股份有限公司

申请日：2023-12-29

公开（公告）日：2024-04-12

公开（公告）号：CN117877978A

主分类号：H01L21/331

分类号：H01L21/331;H01L29/739;H01L29/423

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.30#实质审查的生效;2024.04.12#公开

摘要：本发明公开了一种增强抗闩锁特性的IEGT器件的制造方法，具体包括以下步骤：首先制备轻掺杂的单晶硅衬底，然后形成P型dummy区。接着在正面刻蚀沟槽并生长栅氧化层，淀积多晶硅形成沟槽栅极。之后进行PBody区和发射区的离子注入，并淀积层间介质层。刻蚀接触孔并注入硼和二氟化硼形成欧姆接触区域，再淀积金属。最后在背面形成场截止层和集电区，溅射背面金属。本发明通过改变发射极N+的Layout结构，增大了NPN晶体管发射极电阻，降低NPN管的电流增益，提高IEGT器件的抗闩锁能力。

主权项：1.一种增强抗闩锁特性的IEGT器件的制造方法，其特征在于，具体包括以下步骤：步骤一、制备轻掺杂区熔单晶硅衬底片100；步骤二、在区熔单晶硅衬底片上进行P+注入并推进，形成IEGT的P型dummy区200；步骤三、在正面刻蚀沟槽300，热生长牺牲氧化层，剥离后再次生长栅氧化层301；步骤四、在沟槽300中淀积多晶硅，完整填充沟槽，并回刻Si晶圆表面，形成IEGT的沟槽栅极；步骤五、正面离子注入硼B并热推进形成PBody区400；步骤六、正面离子注入砷As并热推进形成发射区500；步骤七、正面淀积由USG和BPSG构成的层间介质层600；步骤八、正面刻蚀接触孔700，蚀刻体硅区域深度为发射区下方；步骤九、正面离子注入硼B和二氟化硼BF2，形成接触孔欧姆接触区域800，并淀积金属900；步骤十、背面离子注入形成场截止FS层101；步骤十一、背面离子注入B形成集电区102，并溅射背面金属103。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 龙腾半导体股份有限公司 一种增强抗闩锁特性的IEGT器件的制造方法

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