买专利,只认龙图腾
首页 专利交易 科技果 科技人才 科技服务 商标交易 会员权益 IP管家助手 需求市场 关于龙图腾
 /  免费注册
到顶部 到底部
清空 搜索

【发明公布】一种近红外二区稀土荧光材料及其制备方法和LR荧光成像探针_中国科学院长春应用化学研究所_202410002655.6 

申请/专利权人:中国科学院长春应用化学研究所

申请日:2024-01-02

公开(公告)日:2024-04-12

公开(公告)号:CN117866614A

主分类号:C09K11/02

分类号:C09K11/02;C09K11/85;A61K49/00;B82Y20/00;B82Y30/00;B82Y40/00

优先权:

专利状态码:在审-实质审查的生效

法律状态:2024.04.30#实质审查的生效;2024.04.12#公开

摘要:本发明涉及近红外二区成像领域,具体是一种近红外二区稀土荧光材料及其制备方法和LR荧光成像探针。本发明提供的近红外二区稀土荧光材料,在808nm激光激发下能够发射出多个强的近红外二区荧光发射峰,同时具备强大1064nm和1525nm近红外成像峰。与现有纯1525nm的成像平台相比,1064nm可以有效避开生物体内水吸收峰的范围,更适合荧光成像,而对于精确成像,本发明的1525nm处的发射峰可以进行高分辨率成像。另外,相对于有机材料来说,本发明具有更长的发光寿命,并且具有更高的稳定性和生物相容性,不容易被光漂白。

主权项:1.一种近红外二区稀土荧光材料,其特征在于,其包括荧光发射核心、设置在所述核心上的能量传输壳层和设置在所述能量传输壳层上的外壳层;所述荧光发射核心的组成为NaEr1-aNdaF4;其中,0≤a≤0.8;所述能量传输壳层的组成为NaY1-b-c-dF4:Ybb,Erc,Ndd;其中,0≤b≤1;0≤c≤1;0≤d≤0.45;所述外壳层的组成为NaY1-e-f-gF4:Ybe,Erf,Ndg;其中,0≤e≤0.9;0≤f≤0.2;0≤g≤0.45。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 中国科学院长春应用化学研究所 一种近红外二区稀土荧光材料及其制备方法和LR荧光成像探针

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息,力求客观、公正,但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解,仅供参考使用,不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。