申请/专利权人：深圳维盛半导体科技有限公司

申请日：2024-01-04

公开（公告）日：2024-04-12

公开（公告）号：CN117878015A

主分类号：H01L21/67

分类号：H01L21/67;G01B21/24;G01B21/02;H01L21/603

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.30#实质审查的生效;2024.04.12#公开

摘要：本发明公开了一种倒装芯片的平行度调校方法，包括提供测量组件，将测量组件安装于加热台上，并置于加热压头下；选择测试纸，并层叠放置于测量组件的上表面；测试纸包括依次层叠设置的压印纸和复写纸，设置压印纸和复写纸层叠的厚度为T；驱动加热压头向下移动至预设高度，使测试纸完全压合于测量组件上，测量组件以在压印纸上形成印子；松开加热压头，并取下测试纸，测量压印纸上的印子宽度为M，运用计算公式得到压焊头的偏斜角度S，从而作为调节压焊头的依据；本平行度调校方法能够通过测量压焊头的角度偏斜以便于相对应的调整，保证了产品质量，极大提高了芯片精度和可靠性。

主权项：1.一种倒装芯片的平行度调校方法，其特征在于，包括：提供测量组件，将测量组件安装于加热台上，并置于加热压头下；选择测试纸，并层叠放置于测量组件的上表面；所述测试纸包括依次层叠设置的压印纸和复写纸，设置压印纸和复写纸层叠的厚度为T；驱动加热压头向下移动至预设高度，使所述测试纸完全压合于所述测量组件上，测量组件以在所述压印纸上形成印子；松开加热压头，并取下所述测试纸，测量所述压印纸上的印子宽度为M，通过计算得到加热压头的偏斜角度S=arctan（（（T1000）M*180）π。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 深圳维盛半导体科技有限公司 一种倒装芯片的平行度调校方法

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。

阅读全文 双屏查看 官方信息 专利公告 收藏专利 下载PDF 下载WORD