申请/专利权人：格芯(美国)集成电路科技有限公司

申请日：2023-09-12

公开（公告）日：2024-04-12

公开（公告）号：CN117879555A

主分类号：H03K17/042

分类号：H03K17/042;H03K17/16;H03K7/08

优先权：["20221012 US 18/045909"]

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.30#实质审查的生效;2024.04.12#公开

摘要：本公开涉及控制晶体管的转换速率的电路。公开了用于在切换期间控制晶体管的转换速率的电路。每个电路包括第一晶体管例如，氮化镓基GaN高电子迁移率晶体管HEMT或金属‑绝缘体‑半导体HEMTMISHEMT、电容器和第二晶体管。第一晶体管包括连接到用于接收脉宽调制PWM信号的衬垫的第一栅极、连接到电容器的第一板的第一漏极区，以及第一源极区。第二晶体管包括连接到电容器的第二板的第二栅极、第二漏极区和第二源极区，并且同时连接到衬垫和第一晶体管。第一晶体管和第二晶体管之间的连接根据第一晶体管是增强模式器件还是耗尽模式器件以及转换速率控制是用于导通状态切换还是关断状态切换而变化。

主权项：1.一种结构，包括：衬垫；第一晶体管，其具有连接到地的第一源极区、第一漏极区，以及第一栅极，其中，所述第一晶体管是增强模式器件；电容器，其具有连接到所述第一漏极区的第一板和与所述第一板相对的第二板；以及第二晶体管，其具有连接到所述第一栅极的第二源极区、连接到所述衬垫的第二漏极区，以及连接到所述第二板的第二栅极，其中，所述第二晶体管是耗尽模式器件。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 格芯(美国)集成电路科技有限公司 控制晶体管的转换速率的电路

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