申请/专利权人：河北大学

申请日：2023-12-14

公开（公告）日：2024-04-12

公开（公告）号：CN117877888A

主分类号：H01G4/33

分类号：H01G4/33;C23C14/28;C23C14/08;C23C14/35;C23C14/18;H01G4/005;H01G4/008

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.30#实质审查的生效;2024.04.12#公开

摘要：本发明提供了一种铌酸银基无铅弛豫反铁电储能复合薄膜及其制备方法。其结构具体是：在基底STO上生长有底电极SRO，在底电极SRO上生长有由ANO和NBT交替形成的复合薄膜，优选的，形成ANONBTANO三层复合薄膜结构。为了测试性能，采用磁控溅射法生长SROPt上电极，最终制备完成PtSROANONBTANOSROSTO异质结，实现ANONBTANO复合薄膜。本发明采用脉冲激光沉积技术使ANO和NBT交替生长形成的复合薄膜外延生长在底电极上，相比于ANO块材可提高介电击穿强度和储能密度，同时极大减小了ANO的使用成本以及占用空间，使其在大规模集成电路中有很广的应用潜力。

主权项：1.一种铌酸银基无铅弛豫反铁电储能复合薄膜，其特征是，在基底上生长有底电极，在底电极上生长有由铌酸银和钛酸铋钠交替形成的复合薄膜，在由铌酸银和钛酸铋钠交替形成的复合薄膜上生长有上电极。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 河北大学 一种铌酸银基无铅弛豫反铁电储能复合薄膜及其制备方法

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