申请/专利权人：西安电子科技大学

申请日：2024-02-01

公开（公告）日：2024-04-12

公开（公告）号：CN117878583A

主分类号：H01Q1/38

分类号：H01Q1/38;H01Q1/48;H01Q21/24;H01Q21/30;H01Q9/16;H01Q1/52;H01Q1/50;H01Q21/00;H01Q1/12

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.30#实质审查的生效;2024.04.12#公开

摘要：一种基于低散射透波结构的双频双极化共口径天线，包括介质基板，其上印刷金属地表面，金属地表面的边缘设置低频段介质基板，低频段介质基板上印刷低频段天线；金属地表面中心垂直设置尼龙柱，尼龙柱顶端设置有高频段介质基板，尼龙柱顶端位于高频段介质基板的中心处，高频段介质基板上印刷有高频段天线；本发明通过对低频段天线和高频段天线的尺寸、高频段天线距金属地板的高度、低散射透波结构的尺寸以及低频段介质基板和金属地表面进行调整和优化配置，解决了现有技术中共口径天线安装空间狭小，天线间产生强耦合，影响相互正常工作，使天线性能恶化的问题，能够增加天线工作带宽、减小天线辐射体的尺寸，使增益、波束宽度等远场辐射特性稳定。

主权项：1.一种基于低散射透波结构的双频双极化共口径天线，包括介质基板11，介质基板11上印刷有金属地表面10，其特征在于，金属地表面10的边缘垂直设置有低频段介质基板5，低频段介质基板5上印刷有低频段天线；金属地表面10的中心垂直设置有尼龙柱12，尼龙柱12的顶端设置有与金属地表面10平行的高频段介质基板9，尼龙柱12的顶端位于高频段介质基板9的中心处，高频段介质基板9上印刷有高频段天线。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 西安电子科技大学 一种基于低散射透波结构的双频双极化共口径天线

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。

阅读全文 双屏查看 官方信息 专利公告 收藏专利 下载PDF 下载WORD