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【发明公布】一种高纯四氟化锗的制备工艺及其反应釜_太和气体(荆州)有限公司_202311822697.6 

申请/专利权人:太和气体(荆州)有限公司

申请日:2023-12-27

公开(公告)日:2024-04-12

公开(公告)号:CN117865212A

主分类号:C01G17/04

分类号:C01G17/04;B01J8/24;B01J8/18

优先权:

专利状态码:在审-实质审查的生效

法律状态:2024.04.30#实质审查的生效;2024.04.12#公开

摘要:本发明属于化工制造技术领域,特别涉及一种高纯四氟化锗的制备工艺反应釜。本方案中反应原料采用20%F2N2混合气体代替高纯氟气,运输难度小且易储存,显著降低生产成本,同时能一次性向反应釜内通入20%F2N2混合气体,精准控制反应体系中氟气的含量,比常规将氟气分批次通入反应釜的方式更有利于四氟化锗的形成;反应釜内部下方设置流化床层和换热的导热油管,无需加水或两次注气即可控制反应温度。反应釜的锗粉投料口和氟氮混气进口分开设置,使锗粉与气体形成对流,能充分混合均匀,提高了产物转化率。

主权项:1.一种高纯四氟化锗的制备工艺,其特征在于,至少包括以下步骤:步骤1:采用锗粉和20%F2N2混合气体作为反应原料,在反应釜内部下方设置流化床层,流化床层周围设有换热的导热油管,导热油管的进出口均延伸至反应釜外部;步骤2:通过导热油管内的导热油将流化床层的反应段温度升温到200~350℃,压力0.01~0.5MPa;步骤3:在10min内从流化床层上方向反应釜内加入锗粉,在40min内从反应釜底部一次性向反应釜内通入20%F2N2混合气体;原料反应期间,通过增加导热油管内的导热油流量进行降温,将流化床层的反应段压力维持在0.01~1MPa,将流化床层的反应段温度维持在200~400℃之间;步骤4:将生成的GeF4和未反应的N2混合气从反应釜的出料口引入至精馏塔中,精馏塔中的填料为分子筛;步骤5:纯化后的GeF4进入-50℃~100℃的成品罐中冷凝收集。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 太和气体(荆州)有限公司 一种高纯四氟化锗的制备工艺及其反应釜

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