申请/专利权人：陕西科技大学

申请日：2022-06-27

公开（公告）日：2024-04-12

公开（公告）号：CN115050586B

主分类号：C12N1/14

分类号：C12N1/14;H01G11/34;H01G11/36;H01G11/24;H01G11/30;H01G11/86

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.12#授权;2022.09.30#实质审查的生效;2022.09.13#公开

摘要：本发明提供一种MXene纳米片‑黑曲霉菌炭化碳复合材料及其制备方法和应用，包括：步骤1，将MXene纳米片和pH值缓冲液加入水中，混合均匀，再加入黑曲霉菌，混合均匀后培养，培养所得固体产物进行冷冻干燥，得到前驱体；步骤2，将前驱体在650～850℃下退火处理，得到碳化物；步骤3，将碳化物进行活化处理，得到MXene纳米片‑黑曲霉菌炭化碳复合材料；所述MXene‑黑曲霉菌炭化碳复合结构可作为电极材料用于电容去离子核废水净化，大大提高了对水中放射性离子的吸附效率。

主权项：1.一种MXene纳米片-黑曲霉菌炭化碳复合材料的制备方法，其特征在于，包括：步骤1，将MXene纳米片和pH值缓冲液加入水中，混合均匀，再加入黑曲霉菌，混合均匀后培养，培养所得固体产物进行冷冻干燥，得到前驱体；MXene纳米片与黑曲霉菌的质量比为1:3；pH值缓冲液为质量分数为0.05~0.1%的柠檬酸和1~2%的柠檬酸钠水溶液；步骤2，将前驱体在650~850℃下退火处理，得到碳化物；步骤3，将碳化物和氢氧化钾混合后加热到600~900℃保温2~5h，所得产物经洗涤得到MXene纳米片-黑曲霉菌炭化碳复合材料；步骤1中，所述黑曲霉菌的制备方法包括：采用γ射线对黑曲霉菌孢子进行诱变处理，之后将诱变得到的黑曲霉菌孢子接种在液体培养基上，培养得到黑曲霉菌；步骤1中，MXene纳米片的制备方法为：将Ti3AlC2粉末浸泡在刻蚀溶液中刻蚀，得到悬浮液；离心悬浮液，所得固体用去离子水清洗至洗液为中性后，得到Ti3C2TX；将Ti3C2TX和DMSO搅拌混合，然后将所得混合液经离心得到沉淀物；将沉淀物和水超声混合，将超声所得分散液离心，所得上清液用聚丙烯滤膜真空抽滤，干燥得到MXene纳米片。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 陕西科技大学 一种MXene纳米片-黑曲霉菌炭化碳复合材料及其制备方法和应用

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