申请/专利权人：成都矽能科技有限公司

申请日：2019-08-29

公开（公告）日：2024-04-12

公开（公告）号：CN110459594B

主分类号：H01L29/06

分类号：H01L29/06;H01L29/74

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.12#授权;2019.12.10#实质审查的生效;2019.11.15#公开

摘要：一种可用于静电泄放防护的内嵌隔离环可控硅，包括P型衬底，P型衬底上表面两侧设置的N阱区和P阱区，N阱区内表面设置的阳极，P阱区内表面设置的阴极，设置在P型衬底上表面且两端设置在N阱区和P阱区内部的第三N+区，N型隔离环和或P型隔离环。其中N型隔离环包括设置在N阱区下方的N埋层，设置在N阱区远离P阱区的一侧且与N阱区和N埋层接触的第一N型深注入层，设置在N阱区靠近P阱区的一侧且与N阱区和N埋层接触的第二N型深注入层；P型隔离环包括设置在P阱区下方的P埋层，设置在P阱区远离N阱区的一侧且与P阱区和P埋层接触的第一P型深注入层，设置在P阱区靠近N阱区的一侧且与P阱区和P埋层接触的第二P型深注入层。

主权项：1.一种可用于静电泄放防护的内嵌隔离环可控硅，包括：P型衬底；设置在所述P型衬底上表面两侧的N阱区和P阱区；设置在所述N阱区内表面的阳极；设置在所述P阱区内表面的阴极；设置在所述P型衬底上表面且两端分别设置在所述N阱区和P阱区内部的第三N+区；其特征在于，所述可控硅还包括N型隔离环和或P型隔离环；所述N型隔离环包括：设置在所述N阱区下方的N埋层；设置在所述N阱区远离所述P阱区的一侧且与所述N阱区和N埋层相接触的第一N型深注入层，所述第一N型深注入层位于所述P型衬底上表面；设置在所述N阱区靠近所述P阱区的一侧且与所述N阱区和N埋层相接触的第二N型深注入层，所述第二N型深注入层的上表面与所述第三N+区的下表面相接触；所述P型隔离环包括：设置在所述P阱区下方的P埋层；设置在所述P阱区远离所述N阱区的一侧且与所述P阱区和P埋层相接触的第一P型深注入层，所述第一P型深注入层位于所述P型衬底上表面；设置在所述P阱区靠近所述N阱区的一侧且与所述P阱区和P埋层相接触的第二P型深注入层，所述第二P型深注入层的上表面与所述第三N+区的下表面相接触。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 成都矽能科技有限公司 一种可用于静电泄放防护的内嵌隔离环可控硅

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