申请/专利权人：上海交通大学

申请日：2021-10-22

公开（公告）日：2024-04-12

公开（公告）号：CN114035710B

主分类号：G06F3/044

分类号：G06F3/044;G06F3/041

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.12#授权;2022.03.01#实质审查的生效;2022.02.11#公开

摘要：本发明涉及一种外触发触控传感阵列及其制备方法。所述外触发触控传感阵列包括：衬底；双栅薄膜晶体管阵列，位于所述衬底表面，包括呈阵列排布的多个双栅薄膜晶体管；下隔离柱，位于所述双栅薄膜晶体管阵列背离所述衬底的表面；底层柔性防静电薄膜，位于所述下隔离柱上方，且所述底层柔性防静电薄膜朝向所述下隔离柱的底面具有共面电极、所述底层柔性防静电薄膜背离所述下隔离柱的顶面具有触发行电极；上隔离柱，位于所述触发行电极背离所述衬底的表面；顶层柔性防静电薄膜，位于所述上隔离柱上方，所述顶层柔性防静电薄膜朝向所述上隔离柱的底面具有共面顶电极。本发明提高了传感阵列的刷新速率，并降低了传感阵列的功耗。

主权项：1.一种外触发触控传感阵列，其特征在于，包括：衬底；双栅薄膜晶体管阵列，位于所述衬底表面，包括呈阵列排布的多个双栅薄膜晶体管；下隔离柱，位于所述双栅薄膜晶体管阵列背离所述衬底的表面；底层柔性防静电薄膜，位于所述下隔离柱上方，且所述底层柔性防静电薄膜朝向所述下隔离柱的底面具有共面电极、所述底层柔性防静电薄膜背离所述下隔离柱的顶面具有触发行电极；上隔离柱，位于所述触发行电极背离所述衬底的表面；顶层柔性防静电薄膜，位于所述上隔离柱上方，所述顶层柔性防静电薄膜朝向所述上隔离柱的底面具有共面顶电极；所述双栅薄膜晶体管包括：位于所述衬底表面的底栅电极；覆盖所述底栅电极的绝缘层；位于所述绝缘层表面的源电极和漏电极；覆盖所述源电极和所述漏电极的半导体层；覆盖所述半导体层的钝化层；覆盖所述钝化层的顶栅电极。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 上海交通大学 外触发触控传感阵列及其制备方法

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